與亞微米工藝類似，側墻工藝是指形成環繞多晶硅的氧化介質層，從而保護LDD 結構，防止重摻雜的源漏離子注入到LDD結構的擴展區。側墻是由兩個主要工藝步驟形成，首先淀積 ONO 結構，再利用各向異性干法刻蝕去除表面的 ONO，最終多晶硅柵側面保留一部分二氧化硅。側墻工藝不需要掩膜版，它僅僅是利用各向異性干法刻蝕的回刻形成的。

1）淀積 ONO 介質層。ONO是二氧化硅，Si3N4和二氧化硅。首先利用LPCVD淀積一層厚度約200~300A的二氧化硅層，它作為Si3N4刻蝕的停止層，另外它也可以作為緩沖層減少 Si3N4對硅的應力。再利用LPCVD 淀積一層厚度約300~400A的Si3N4層，它可以防止柵與源漏的相互漏電。最后一層二氧化硅是利用 TEOS 發生分解反應生成二氧化硅層，厚度約1200A。圖4-200所示為淀積 ONO的剖面圖。

2）側墻刻蝕。利用干法蝕刻去除二氧化硅和Si3N4，刻蝕停在底部的二氧化硅上。因為在柵兩邊的氧化物在垂直方向較厚，在蝕刻同樣厚度的情況下，拐角處留下一些不能被蝕刻的氧化物，因此形成側墻。側墻結構可以保護 LDD 結構，也可以防止柵和源漏之間發生漏電。圖4-201所示為側墻刻蝕的剖面圖。