制程工藝在很大程度上會決定處理器的性能和功耗，這是先天硬件，14/16nm工藝之后是10nm節點，TSMC及三星都爭著在今年底或者明年初推出10nm代工服務，Intel明年下半年量產10nm工藝，但GlobalFoundries決定跳過10nm節點，相對來說，10nm工藝被認為是14/16nm工藝的優化版，跟20nm工藝那樣偏向低功耗，屬于過渡節點，而GlobalFoundries自己也經不起折騰，索性跳過這一節點，直接殺向未來高性能的7nm節點。那么號稱史上最強手機處理器的A10,也就是蘋果在 iPhone 7 和 7 Plus 上配備的A10 Fusion 處理器到底怎么樣？

蘋果在 iPhone 7 和 7 Plus 上配備了 A10 Fusion 處理器，這款處理器的性能有了很大的提升，讓業界大為驚嘆。甚至有人認為，A10 Fusion 的評測成績已經可以與英特爾筆記本CPU相提并論。那么到底蘋果的 A10 Fusion 處理器到底是一個什么樣的“怪物”，能讓業界發出這樣的評價呢？Chipworks 為我們詳細介紹了這款芯片。

根據拆解我們知道，A10 的零件號碼是 APL1W24, 339S00255，此前 iPhone 6s 使用的 A9 處理器，它的零件號碼 APL1022, 339S00129。我們無法確定蘋果在零件號中增加一個“W”是什么意思。iPhone 7 A1778 中使用的 A10 處理器由臺積電代工。也許你還記得，去年 A9 處理器有三星和臺積電兩家代工廠，但是目前還無法確定今年蘋果繼續使用雙供應渠道的模式，還是將處理器訂單全部交給了臺積電。Chipworks 表示通過模具照片可以看到模具零件號碼是 TMGK98。A10 的芯片尺寸為 125 平方毫米，據稱這塊芯片上有 33 億晶體管。

已經可以確定這款芯片仍然使用臺積電的16 納米 FinFET制程，這也意味著在過去 3 代處理器上，蘋果一直沿用了相同的 20/16 納米技術，在經過兩代芯片的改進之后，蘋果終于讓 A10 芯片的晶體密度變成和 A8 一樣的，在平面工藝方面進行優化。

從 A9 到 A10 的一個顯著區別就是 SoC 級別的芯片利用更進一步，與 A8 的持平。16FFC 制程的 9-Track 和 7.5-Track 單元可能夠讓芯片的面積不至于飆升到 150 平方毫米。

我們已經感受過從 20 納米到 16FF FinFET，架構和設計對設備級性能提升的影響有多大，而且 16FFC 中預期的完善將能夠有利于速度繼續提升，能耗進一步減少。這也說明了 SoC 的優化將不僅僅限于面積大小，它還有很多方面可以完善，這也能讓行業更好地明白如何利用最新的或者此前的工藝節點來更好地提升芯片性能。

A10 Fusion 芯片性能提升的另外一個原因是封裝方式的變化。A10處理器非常薄，主要就是因為臺積電使用了 InFo(Integrated Fan-Out:整合扇出封裝)技術。

和 iPhone 6s 中的一樣，A10上方就是三星的 K3RG1G10CM 2-GB LPDDR4內存。從X射線圖片來看，四個模具并不是堆積在一起的，而是分散封裝，這樣整個封裝的厚度就能降到最低。以封裝疊加（Package-on-Package，PoP）的方式來封裝能夠大大降低 PoP 的高度。

按照蘋果的說法，A10 Fusion 性能是第一代 iPhone 芯片的 120 倍，比 iPhone 6s 中的 A9 提升 40%。你是否感受到 A10 芯片帶來的極速體驗。

iPhone7 Plus采用蘋果 A10 Fusion 芯片（下圖紅色處，型號為 APL1W24）、三星 3 GB LPDDR4 RAM（型號為 K3RG4G40MM-YGCH）、高通 MDM9645M LTE Cat. 12 基帶（下圖橘色處）、東芝 128 GB NAND Flash（型號為 THGBX6T0T8LLFXF）等元件。