全球領先的存儲芯片制造商三星電子正積極籌備在2026年前推出劃時代的400層V-NAND閃存芯片，旨在把握人工智能（AI）浪潮帶來的存儲設備市場快速增長機遇。

三星電子的半導體業務部門——設備解決方案部門（DS）已制定明確規劃，目標是在2026年或之前成功研發出至少擁有400層單元垂直堆疊的V-NAND，以期在提升存儲容量與性能方面達到新高度。

目前，三星正批量生產286層大容量V9 NAND閃存芯片。然而，在現有的NAND芯片設計中，存儲單元堆疊在外圍設備之上，而堆疊超過300層往往會對外圍設備造成損害。為了突破這一技術瓶頸，三星計劃在尖端的V10 NAND中引入創新的鍵合技術。該技術將分別在不同的晶圓上制造存儲單元和外圍設備，隨后再進行鍵合，從而實現“超高”NAND堆疊。

三星表示，這種被稱為鍵合垂直NAND閃存（BV NAND）的新技術，不僅具備大存儲容量，還擁有卓越的散熱性能，是AI數據中心所需超大容量固態硬盤（SSD）的理想選擇。三星自豪地宣稱，BV NAND是“AI的理想NAND”。

回顧歷史，三星于2013年率先在業內推出垂直堆疊存儲單元，開創了V NAND芯片的新紀元，實現了存儲容量的最大化。據三星透露，BV NAND技術可將單位面積的比特密度提升1.6倍。

展望未來，三星計劃在2027年推出V11 NAND，進一步推動堆疊技術的發展，預計數據輸入和輸出速度將提高50%。此外，三星還計劃推出SSD訂購服務，以滿足科技公司管理AI半導體投資高成本的需求。

三星更是雄心勃勃地提出，到2030年，將開發出超過1000層的NAND芯片，以持續提升存儲密度和能力，鞏固其在大容量、高性能NAND閃存市場的領導地位。

NAND閃存作為非易失性存儲芯片，能夠在電源關閉時保持數據存儲，廣泛應用于智能手機、U盤和服務器等設備。根據市場追蹤機構TrendForce的數據，截至第二季度，三星在NAND領域占據主導地位，擁有全球36.9%的市場份額。

在DRAM領域，三星同樣不甘落后，計劃最早于2024年底推出第六代和第七代10nm DRAM（分別稱為1c DRAM和1d DRAM），以滿足HBM4等先進AI芯片的需求。此外，三星還計劃在2027年推出采用垂直溝道晶體管（VCT）三維結構的0a DRAM，以提高性能和穩定性。

在推廣NAND的同時，三星公司副董事長、DS部門主管Jun Young-hyun表示將對公司進行重大改革。盡管三星在DRAM市場上占據領先地位，但在HBM市場上卻面臨來自競爭對手SK海力士的激烈競爭。SK海力士是全球第二大存儲制造商，也是英偉達高端HBM芯片的主要供應商。

據市場研究公司Gartner預測，全球存儲市場將從2024年的920億美元增長至2026年的2270億美元。三星預計，在2024年至2029年期間，服務器DRAM和企業級SSD（eSSD）市場的年增長率將分別達到27%和35%。