英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）在半導體制造技術領域持續取得重大突破，繼推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓及在馬來西亞居林建立全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導體晶圓廠后，再次宣布了一項新的里程碑成就。此次，英飛凌成功處理和加工了史上最薄的硅功率晶圓，該晶圓直徑為300mm，厚度僅為20μm，相當于頭發絲的四分之一，比當前最先進的40-60μm晶圓厚度減少了一半。

英飛凌科技首席執行官Jochen Hanebeck表示，這款全球最薄的硅晶圓彰顯了英飛凌致力于推動功率半導體技術發展，為客戶創造卓越價值的決心。這一突破標志著英飛凌在節能功率解決方案領域取得了重要進展，有助于充分發揮全球低碳化和數字化趨勢的潛力。通過掌握Si、SiC和GaN這三種半導體材料，英飛凌進一步鞏固了其在行業創新方面的領先地位。

這項創新技術將大幅提升功率轉換解決方案的能效、功率密度和可靠性，廣泛應用于AI數據中心、消費、電機控制和計算等領域。與傳統硅晶圓解決方案相比，晶圓厚度減半可使基板電阻降低50%，從而減少功率系統中的功率損耗15%以上。對于高端AI服務器應用，超薄晶圓技術促進了基于垂直溝槽MOSFET技術的垂直功率傳輸設計，實現了與AI芯片處理器的高度緊密連接，提高了整體效率并減少了功率損耗。

英飛凌科技電源與傳感系統事業部總裁Adam White指出，新型超薄晶圓技術推動了英飛凌以最節能方式為不同類型的AI服務器配置提供動力的目標。隨著AI數據中心能源需求的急劇上升，能效變得至關重要。基于中雙位數的增長率，英飛凌預計其AI業務收入在未來兩年內將達到10億歐元。

為了克服將晶圓厚度降低至20μm的技術障礙，英飛凌工程師們創新了一種獨特的晶圓研磨方法，極大地影響了薄晶圓背面的處理和加工。同時，他們還解決了晶圓翹曲度和晶圓分離等技術和生產挑戰，確保晶圓穩定性和一流穩健性的后端裝配工藝。20μm薄晶圓工藝基于英飛凌現有的制造技術，能夠無縫集成到現有的大批量Si生產線中，保證高產量和供應安全性。

該技術已被應用于英飛凌的集成智能功率級（直流-直流轉換器）中，并已交付給首批客戶。同時，英飛凌還擁有與20μm晶圓技術相關的強大專利組合，進一步體現了其在半導體制造領域的創新領先地位。英飛凌預測，在未來三到四年內，現有的傳統晶圓技術將被用于低壓功率轉換器的替代技術所取代。這一突破進一步鞏固了英飛凌在市場上的獨特地位，并為其提供了全面的產品和技術組合，覆蓋了基于Si、SiC和GaN的器件，這些器件是推動低碳化和數字化的關鍵因素。