10月26日，晶升股份憑借其在碳化硅領域的創新技術引起了市場關注。據“證券時報”報道，晶升股份已成功研發出可視化的8英寸電阻法SiC單晶爐，該設備能將碳化硅晶體的生長過程變得透明化，使得晶體良率得以提升超過20%，并已順利通過客戶端驗證。

晶升股份董秘吳春生介紹，傳統的碳化硅單晶生長過程如同開“盲盒”，因為整個生長過程在一個完全密閉的環境中進行，只有在打開爐體后才能知曉晶體的生長狀況。這種不可視的生長過程導致工藝開發周期長、費用高、良率低等問題。而晶升股份的8英寸電阻法碳化硅單晶爐則引入了可視化檢測系統，實現了長晶過程的實時觀測。

該單晶爐通過實時觀測晶體的生長速度和粉料演變狀態，可以干預調節功率、壓力等條件，使晶體生長處于可控狀態。此外，針對溫度梯度控制的難題，該設備采用了多加熱器布局，每個加熱器都可以單獨控制，從而有效解決了溫度梯度可控性差的問題，提高了晶體生長的品質。同時，晶升股份團隊還通過數十次的實驗，將最低的長晶功率由30kW~40kW降低到25kW以下，實現了節能降耗。

晶升股份成立于2012年2月，專注于半導體級單晶硅爐、碳化硅、砷化鎵等半導體材料長晶設備及工藝的研發與生產。2023年4月，晶升股份正式登陸科創板，并計劃通過IPO募資4.76億元用于總部生產及研發中心建設項目和半導體晶體生長設備總裝測試廠區建設項目。

2024年上半年，晶升股份的營收和凈利潤均實現了大幅增長。其中，營收達到1.99億元，同比增長73.76%；凈利潤為0.35億元，同比大幅增長131.99%。此外，晶升股份還宣布實現了8英寸碳化硅長晶設備的批量交付，第一批設備已于2024年7月在重慶完成交付，標志著其8英寸碳化硅長晶設備相關業務已進入新的發展階段。

未來，隨著晶升股份在8英寸碳化硅長晶設備領域的不斷深耕和拓展，該業務將成為公司新的業績增長點。