国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

萬年芯榮獲2024第三代半導(dǎo)體制造最佳新銳企業(yè)獎(jiǎng)

萬年芯微電子 ? 2024-10-28 11:46 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

10 月 22 日,2024 全國第三代半導(dǎo)體大會(huì)暨最佳新銳企業(yè)獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮在蘇州隆重舉辦。這場備受矚目的行業(yè)盛會(huì)匯聚了眾多行業(yè)精英,共有30+位企業(yè)高管演講、50+家展商現(xiàn)場展示。在這場行業(yè)盛會(huì)上,江西萬年芯微電子有限公司攜“碳化硅模塊器件共性問題及產(chǎn)業(yè)協(xié)同解決思路”出席,并榮獲2024第三代半導(dǎo)體制造最佳新銳企業(yè)獎(jiǎng)。

wKgZoWcfCGaAU252AAGY9hyRe1A603.png

wKgaoWcfCGaAWbn_AAGvDODvJjg250.png

本次大會(huì)核心圍繞著第三代半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)新、競爭格局和未來趨勢展開。隨著科技的飛速進(jìn)步,第三代半導(dǎo)體技術(shù),尤其是碳化硅和氮化鎵已成為行業(yè)焦點(diǎn)。碳化硅材料因其優(yōu)越的性能和耐高溫特性,被廣泛地應(yīng)用在新能源汽車、5G移動(dòng)通信、高效智能電網(wǎng)、工業(yè)電源、消費(fèi)類電子產(chǎn)品等領(lǐng)域,市場前景巨大。

大會(huì)現(xiàn)場,多家企業(yè)圍繞碳化硅技術(shù)和市場展示了各自的研究成果。江西萬年芯微電子有限公司工程副總經(jīng)理石海忠現(xiàn)場演講了“碳化硅塑封模塊器件共性問題及產(chǎn)業(yè)協(xié)同解決思路”,彰顯了萬年芯在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,尤其是碳化硅塑封模塊方面的創(chuàng)新實(shí)力和發(fā)展?jié)摿Α?/p>

wKgaoWcfCHCAbSmLAAEPd9iwoqc552.png

石海忠在大會(huì)上介紹了萬年芯SiC PIM模塊優(yōu)勢在于性能優(yōu)異、封裝良率高、可靠性高和生產(chǎn)成本低等?;谀壳皣鴥?nèi)外知名公司在SiC MOSFET的PIM模塊領(lǐng)域大多數(shù)還處于研發(fā)、測試和再優(yōu)化階段的情況,萬年芯的研發(fā)水平和SiC PIM模塊綜合性能及可靠性等已具有領(lǐng)先優(yōu)勢。大會(huì)上萬年芯也憑技術(shù)實(shí)力和影響力,拿下了2024中國第三代半導(dǎo)體制造最佳新銳企業(yè)稱號(hào)。

wKgaoWcfCGaAX1w_AADKSlrlwDQ644.png

江西萬年芯微電子有限公司成立于2017年,是一家專業(yè)從事集成電路、存儲(chǔ)芯片、傳感器類產(chǎn)品、大功率模塊及功率器件等封裝測試研發(fā)的高新科技企業(yè)。目前已獲得國內(nèi)專利134項(xiàng),是國家專精特新“小巨人”企業(yè)、“國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢企業(yè)”,擁有國家級(jí)博士后工作站,為海關(guān)AEO高級(jí)認(rèn)證企業(yè)。

本次大會(huì)的舉辦不僅為第三代半導(dǎo)體從業(yè)者提供了一次深入學(xué)習(xí)和交流的機(jī)會(huì),也是提升整個(gè)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈凝聚力的一次積極嘗試?,F(xiàn)場不僅可以收獲行業(yè)經(jīng)驗(yàn),還可以就大家關(guān)注的話題進(jìn)行深入研討,為產(chǎn)業(yè)協(xié)同合作奠定基礎(chǔ)。

本文圖片均源于全國第三代半導(dǎo)體大會(huì)暨“最佳新銳企業(yè)獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮照片直播

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    30737

    瀏覽量

    264116
  • 芯片封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    13

    文章

    614

    瀏覽量

    32264
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3464

    瀏覽量

    52343
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時(shí)掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時(shí)掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產(chǎn)技術(shù),開啟了在
    發(fā)表于 01-31 08:46

    龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)

    今天,龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺(tái)。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?635次閱讀
    龍騰<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃蓟杵骷杀居型?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃蓟杵骷杀居型?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?390次閱讀

    高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測試中的應(yīng)用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導(dǎo)體器件的動(dòng)態(tài)特性、柵極電流測量及開關(guān)損耗計(jì)算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?256次閱讀

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計(jì)及市場定位等多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)?;当静⒋妗钡奶卣?。一、成本構(gòu)成:核心
    發(fā)表于 12-25 09:12

    干線斬獲2025行家極光獎(jiǎng)年度第三代半導(dǎo)體市場開拓領(lǐng)航獎(jiǎng)

    202512月4日,深圳高光時(shí)刻!由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)桿機(jī)構(gòu)「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎(jiǎng)」頒獎(jiǎng)晚宴盛大啟幕,數(shù)百家SiC&G
    的頭像 發(fā)表于 12-13 10:56 ?1014次閱讀
    <b class='flag-5'>芯</b>干線斬獲2025行家極光<b class='flag-5'>獎(jiǎng)</b>年度<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>市場開拓領(lǐng)航<b class='flag-5'>獎(jiǎng)</b>

    安森美榮獲2025全球電子成就獎(jiǎng)之年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品獎(jiǎng)

    (World Electronics Achievement Awards, 簡稱WEAA)年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品獎(jiǎng),彰顯了安森美在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位和市場優(yōu)勢。
    的頭像 發(fā)表于 11-27 13:55 ?1518次閱讀

    CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)

    10月25日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級(jí)巡視員余雷、副市長祁從峰出席會(huì)議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會(huì)議。
    的頭像 發(fā)表于 10-27 18:05 ?1425次閱讀

    開啟連接新紀(jì)元——科科技第三代無線SoC現(xiàn)已全面供貨

    搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過PSA 4級(jí)認(rèn)證
    的頭像 發(fā)表于 10-09 15:57 ?4.3w次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對(duì)基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?788次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>B3M平臺(tái)深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?730次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2445次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動(dòng)算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?890次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    麥科信獲評(píng)CIAS2025金翎獎(jiǎng)半導(dǎo)體制造與封測領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商】

    與封測領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商榜單。本屆大會(huì)以\"新能源時(shí)代\"為主題,匯集了來自功率半導(dǎo)體第三代材料應(yīng)用等領(lǐng)域的行業(yè)專家與企業(yè)代表。 作為專注電子測試測量領(lǐng)域的高新技術(shù)
    發(fā)表于 05-09 16:10

    砥礪創(chuàng)新 耀未來——武漢半導(dǎo)體榮膺21ic電子網(wǎng)2024度“創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)獎(jiǎng)

    2024,途璀璨,創(chuàng)新不止。武漢半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“武漢
    發(fā)表于 03-13 14:21