10月23日消息，據外媒The register援引知識產權公司 Mathys & Squire 的數據稱，近年來全球半導體專利申請量持續激增，2023年-2024年度全球半導體專利申請量同比增長22%，達到80892項，同比增長22%。其中，中國的半導體申請量從 32,840 件激增至 46,591 件，增幅高達 42%，超過其他所有國家和地區。

有媒體報道稱，這一顯著增長的背后，主要由于是美國對中國半導體出口管制，促使中國加大了對本土半導體研究與開發的投資。

中國官方也已經明確表示——科技行業必須自主創新，以避免陷入半導體依賴陷阱。半導體已被推到技術優先事項清單的首位，其成果正在專利申請數量中體現出來。

但這一增長并不僅僅受到地緣政治因素的影響，還有AI技術的快速發展，推動了全球芯片制造商，包括中國的公司，爭相申請下一代AI硬件技術的專利。

與此同時，在《通脹削減法案》的推動下，2023-2024年美國半導體行業專利申請量也同比增長了9%，達到了21269項。

報告還指出，隨著美國《芯片與科學法案》向芯片制造業投入資金（臺積電的亞利桑那州工廠就是例子），美國渴望在加大研發力度的同時，保持其半導體技術的領先和供應鏈的穩固。

在半導體制造設備方面，雖然目前在關鍵的光刻機領域，ASML一家獨大，并且其還是全球唯一的EUV（極紫外）光刻機供應商，但是新的國產DUV光刻機（“套刻≤8nm）的曝光，以及國內涌現出的諸多新不同技術路線的EUV光刻相關專利，也反應了國內EUV技術研究的進步。
比如，國家知識產權局2023年6月公布的由中國科學院上海高等研究院申請的《極紫外光源裝置》的發明專利，該發明提供了一種極紫外光源裝置，以產生平均功率千瓦量級、全相干、穩定的EUV光。（與ASML的LPP光源是完全不同）。

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審核編輯 黃宇