近日，英特爾宣布將與日本國(guó)立產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（AIST）展開(kāi)合作，共同投資約1000億日元（折合7億美元），在日本興建一座最先進(jìn)的半導(dǎo)體研發(fā)中心。該中心預(yù)計(jì)將于2027年正式投入運(yùn)營(yíng)。

據(jù)悉，新設(shè)施將在三到五年內(nèi)建成，并將配備極紫外線光刻（EUV）設(shè)備，為行業(yè)內(nèi)的設(shè)備制造商和材料公司提供原型設(shè)計(jì)和測(cè)試服務(wù)。這一舉措將極大地促進(jìn)日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，并提升其在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。

值得一提的是，該中心將是日本首個(gè)允許行業(yè)成員共同使用極紫外線光刻設(shè)備的中心，為行業(yè)內(nèi)的企業(yè)提供了一個(gè)共享資源、共同創(chuàng)新的平臺(tái)。英特爾與AIST的合作，不僅有助于推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展，還將為日本的科技產(chǎn)業(yè)注入新的活力。