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遠(yuǎn)山半導(dǎo)體投資15億建3條芯片線

要長(zhǎng)高 ? 2024-10-22 13:45 ? 次閱讀
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近日,GaN行業(yè)迎來(lái)了一項(xiàng)重要突破,一家名為遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的企業(yè)宣布成功研發(fā)出新一代高壓氮化鎵功率器件,其電壓等級(jí)高達(dá)3300V。這一消息于10月18日由“泰克科技”官方微信發(fā)布。

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的產(chǎn)品線現(xiàn)涵蓋700V、1200V、1700V及3300V等多個(gè)規(guī)格的藍(lán)寶石基氮化鎵功率器件。這些創(chuàng)新器件采用了獨(dú)特的極化超級(jí)結(jié)(PSJ)技術(shù),使得額定工作電壓和工作電流分別提升至1200V和20A。這些高性能器件在高功率PD快充、車載充電器、雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器、微型逆變器、便攜儲(chǔ)能以及V2G(Vehicle-to-Grid)等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景。

泰克科技的測(cè)試結(jié)果進(jìn)一步驗(yàn)證了遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的卓越性能。測(cè)試顯示,這些器件具有高擊穿電壓、低閾值電壓以及低靜態(tài)導(dǎo)通電阻等特性。在動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)測(cè)試中,即便在高壓環(huán)境下,器件依然表現(xiàn)出極高的開(kāi)關(guān)速度,并有效克服了電流崩塌現(xiàn)象。

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的氮化鎵功率器件成功打破了傳統(tǒng)氮化鎵器件650V額定電壓的限制,展現(xiàn)了在高電壓大電流條件下的出色表現(xiàn)。

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體成立于2017年10月,由公信投資管理有限公司與日本PowDec株式會(huì)社共同出資設(shè)立。公司憑借獨(dú)有的4英寸藍(lán)寶石基氮化鎵外延生長(zhǎng)技術(shù),成功生產(chǎn)出650V至6500V等多種規(guī)格的氮化鎵功率半導(dǎo)體外延晶圓與功率器件。值得一提的是,遠(yuǎn)山半導(dǎo)體已推出單片耐壓高達(dá)6500V、電流范圍在5-30A內(nèi)的GaN產(chǎn)品,且外延生長(zhǎng)時(shí)間僅需2-3小時(shí),良品率接近100%,成本遠(yuǎn)低于市場(chǎng)平均水平。

在項(xiàng)目建設(shè)方面,遠(yuǎn)山半導(dǎo)體于2022年末規(guī)劃了總投資15億元的新建項(xiàng)目,包括引進(jìn)15臺(tái)MOCVD設(shè)備、建設(shè)3條規(guī)模化芯片生產(chǎn)線以及配備全套封裝檢測(cè)設(shè)備。同時(shí),公司正積極尋求政府產(chǎn)業(yè)基金入股母公司,并希望項(xiàng)目公司能落戶當(dāng)?shù)兀瑫r(shí)獲得人才、廠房、設(shè)備補(bǔ)貼,并規(guī)劃用地100畝。

在合作領(lǐng)域,遠(yuǎn)山半導(dǎo)體于2024年4月與日本豐田合成株式會(huì)社簽訂了合作協(xié)議,正式建立了戰(zhàn)略伙伴關(guān)系。這一合作將促進(jìn)雙方在GaN技術(shù)、產(chǎn)品以及市場(chǎng)等方面的深入合作,共同探索新的發(fā)展機(jī)遇。

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