国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

地球山微電子與AP合作的第二代MEMS揚(yáng)聲器取得重大進(jìn)展

愛云資訊 ? 2024-09-02 10:46 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

經(jīng)過多年堅(jiān)持不懈的努力,以色列Audio Pixels公司和中國地球山微電子公司雙方聯(lián)合研制的數(shù)字像素級MEMS揚(yáng)聲器技術(shù)取得重大突破。據(jù)Audio Pixels官方發(fā)布消息顯示:新研制的第二代MEMS揚(yáng)聲器(GEN-II)所達(dá)到的聲壓級(SPL或“響度”)已被驗(yàn)證符合其商業(yè)化可行性的數(shù)字聲音重建(DSR)揚(yáng)聲器平臺的目標(biāo),不但實(shí)現(xiàn)了全頻域的音質(zhì),同時(shí)提高了芯片的聲壓級別。

通過在復(fù)雜的聲學(xué)MEMS制造技術(shù)中所取得的一系列革命性突破,DSR 揚(yáng)聲器產(chǎn)品在微型數(shù)字陣列發(fā)聲器領(lǐng)域?qū)a(chǎn)生革命性影響,預(yù)期市場需求量巨大,這一成就備受期待。

AP CEO丹尼表示,在實(shí)驗(yàn)室中對MEMS晶圓進(jìn)行的測量完全驗(yàn)證了多項(xiàng)物理仿真模型的準(zhǔn)確性。這些測量結(jié)果證實(shí)了先前為MEMS數(shù)字揚(yáng)聲器設(shè)定的商業(yè)性能目標(biāo),能夠?yàn)榇蠖鄶?shù)消費(fèi)級和專業(yè)級應(yīng)用中的微型和大型揚(yáng)聲器提供超越以往的音頻體驗(yàn)。

地球山首席執(zhí)行官杜海江表示,未來地球山微電子公司將進(jìn)一步完善這一技術(shù)的MEMS 制造和封裝平臺,組織大規(guī)模量化生產(chǎn),實(shí)現(xiàn)DSR MEMS 揚(yáng)聲器的投產(chǎn)上市。

wKgZombVJwuAZJiQAAV1fETks04484.png

圖片:地球山MEMS晶圓

關(guān)于地球山:

地球山(蘇州)微電子科技有限公司成立于2021年,作為先進(jìn)的MEMS設(shè)計(jì)、研發(fā)和制造的高科技企業(yè),與以色列的AP合作正在顛覆傳統(tǒng)揚(yáng)聲器的發(fā)聲方式,以創(chuàng)新的數(shù)字MEMS發(fā)聲芯片技術(shù),引領(lǐng)音頻領(lǐng)域的技術(shù)革新。公司致力于先進(jìn)數(shù)字揚(yáng)聲器的制造技術(shù),采用了MEMS+數(shù)字音頻算法技術(shù),通過半導(dǎo)體工藝實(shí)現(xiàn)在發(fā)聲端的數(shù)字化,能夠以更小的尺寸實(shí)現(xiàn)聲音的全頻段播放,滿足各行業(yè)的需求,并將音頻質(zhì)量提高到了一個(gè)全新的水平。

wKgaombVJwuABhjuAAbXr1Lrrxw759.png

圖片:地球山(蘇州)微電子科技有限公司

關(guān)于Audio pixels:

Audio Pixels Limited 成?于 2006 年,是 Audio Pixels Holdings Limited 的全資?公司,在澳?利亞上市,股票 代碼為 AKP(OTC ?級 ADR - ADPXY)。憑借卓越的多學(xué)科科研、設(shè)計(jì)能?,Audio Pixels 已成為數(shù)字揚(yáng)聲器技術(shù)領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者。Audio Pixels 的技術(shù)利?微機(jī)電結(jié)構(gòu) (MEMS) 直接從數(shù)字?頻流中?成聲波。其?命性的聲?再現(xiàn)技術(shù)平臺使?產(chǎn)全新?代揚(yáng)聲器成為可能,這些揚(yáng)聲器將超越世界頂級消費(fèi)電?產(chǎn)品制造商的性能規(guī)格和設(shè)計(jì)要求。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • mems
    +關(guān)注

    關(guān)注

    129

    文章

    4475

    瀏覽量

    198809
  • 揚(yáng)聲器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    29

    文章

    1356

    瀏覽量

    66010
  • 發(fā)聲器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    12

    瀏覽量

    7592
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    比亞迪正式發(fā)布第二代刀片電池及閃充技術(shù)

    發(fā)布會現(xiàn)場,王傳福還宣布:所有搭載第二代刀片電池的閃充車車主,均享有重磅“閃充權(quán)益”,自交車之日起,在全國閃充站可享受1年的免費(fèi)閃充權(quán)益,讓閃充體驗(yàn)更暢快。并且,在閃充免費(fèi)期結(jié)束后,也會同行業(yè)保持一致,不會額外收費(fèi)。
    的頭像 發(fā)表于 03-06 14:04 ?217次閱讀

    新品 | CoolSiC? MOSFET 650V第二代產(chǎn)品,新增75m?型號

    新品CoolSiCMOSFET650V第二代產(chǎn)品,新增75m?型號CoolSiCMOSFET650V第二代器件基于性能卓越的第一溝槽SiCMOSFET技術(shù)打造,通過提升性能、增強(qiáng)設(shè)計(jì)靈活性及魯棒性
    的頭像 發(fā)表于 01-12 17:03 ?316次閱讀
    新品 | CoolSiC? MOSFET 650V<b class='flag-5'>第二代</b>產(chǎn)品,新增75m?型號

    上能電氣第二代增強(qiáng)混動構(gòu)網(wǎng)技術(shù)再次取得權(quán)威認(rèn)證

    近日,上能電氣第二代增強(qiáng)混動構(gòu)網(wǎng)技術(shù)再次取得權(quán)威認(rèn)證,國際知名的獨(dú)立能源專家和保障服務(wù)提供商挪威船級社(以下簡稱“DNV”)正式出具對其站級測試的見證報(bào)告。這標(biāo)志著該項(xiàng)技術(shù)的領(lǐng)先性與可靠性已率先獲得來自國內(nèi)及國際權(quán)威機(jī)構(gòu)的一致認(rèn)可,邁入全球大規(guī)模推廣應(yīng)用的新階段。
    的頭像 發(fā)表于 01-08 11:34 ?578次閱讀

    新品 | CoolSiC? MOSFET 400V與440V第二代器件

    新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開關(guān)損耗與低通態(tài)電阻等優(yōu)勢,同時(shí)有助于優(yōu)化系統(tǒng)成本。該系列400V
    的頭像 發(fā)表于 12-31 09:05 ?605次閱讀
    新品 | CoolSiC? MOSFET 400V與440V<b class='flag-5'>第二代</b>器件

    TeledyneLeCroy發(fā)布第二代DisplayPort 2.1 PHY合規(guī)測試與調(diào)試解決方案

    TeledyneLeCoy(Teledyne子公司)宣布第二代QualiPHY 2自動化合規(guī)測試框架現(xiàn)已支持DisplayPort 2.1物理層(PHY)合規(guī)性測試。
    的頭像 發(fā)表于 12-26 11:04 ?1582次閱讀

    新品 | 采用.XT擴(kuò)散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列

    EasyPACK1C1200V13mΩ四單元模塊,搭載第二代CoolSiCMOSFET技術(shù),集成NTC溫度傳感,采用大電流PressFIT引腳,并預(yù)涂2.0導(dǎo)熱界面材料。產(chǎn)品型號:■F4
    的頭像 發(fā)表于 11-24 17:05 ?1468次閱讀
    新品 | 采用.XT擴(kuò)散焊和<b class='flag-5'>第二代</b>1200V SiC MOSFET的Easy C系列

    新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 1400V,TO-247PLUS-4回流焊封裝

    系統(tǒng)、工業(yè)變頻等大功率輸出應(yīng)用的理想選擇。第二代1400VCoolSiCMOSFET前沿技術(shù)具有前沿性,可顯著提升熱管理性能、功率密度及系統(tǒng)可靠性。其封裝支持回流
    的頭像 發(fā)表于 11-17 17:02 ?1349次閱讀
    新品 | <b class='flag-5'>第二代</b>CoolSiC? MOSFET G2 1400V,TO-247PLUS-4回流焊封裝

    新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 750V - 工業(yè)級與車規(guī)級碳化硅功率器件

    、有源中性點(diǎn)鉗位(ANPC)、維也納整流和飛跨電容(FCC)等硬開關(guān)拓?fù)渲斜憩F(xiàn)卓越。更值得注意的是,第二代產(chǎn)品顯著降低了輸出電容(Coss),使其在循環(huán)變流器、
    的頭像 發(fā)表于 07-28 17:06 ?989次閱讀
    新品 | <b class='flag-5'>第二代</b>CoolSiC? MOSFET G2 750V - 工業(yè)級與車規(guī)級碳化硅功率器件

    面向大功率家電,ST推出第二代IH系列1600V IGBT

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近,意法半導(dǎo)體推出了一款面向大功率家電應(yīng)用的第二代IH系列1600V IGBT STGWA30IH160DF2,該器件兼具1600 V的額定擊穿電壓、優(yōu)異的熱性能和軟開關(guān)拓?fù)?/div>
    發(fā)表于 07-28 07:29 ?3866次閱讀

    AMD第二代Versal AI Edge和Versal Prime系列加速量產(chǎn) 為嵌入式系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)單芯片智能

    我們推出了 AMD 第二代 Versal AI Edge 系列和第二代 Versal Prime 系列,這兩款產(chǎn)品是對 Versal 產(chǎn)品組合的擴(kuò)展,可為嵌入式系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)單芯片智能。
    的頭像 發(fā)表于 06-11 09:59 ?1860次閱讀

    恩智浦推出第二代OrangeBox車規(guī)級開發(fā)平臺

    第二代OrangeBox開發(fā)平臺集成AI功能、后量子加密技術(shù)及內(nèi)置軟件定義網(wǎng)絡(luò)的能力,應(yīng)對快速演變的信息安全威脅。
    的頭像 發(fā)表于 05-27 14:25 ?1390次閱讀

    第二代AMD Versal Premium系列SoC滿足各種CXL應(yīng)用需求

    第二代 AMD Versal Premium 系列自適應(yīng) SoC 是一款多功能且可配置的平臺,提供全面的 CXL 3.1 子系統(tǒng)。該系列自適應(yīng) SoC 旨在滿足從簡單到復(fù)雜的各種 CXL 應(yīng)用需求
    的頭像 發(fā)表于 04-24 14:52 ?1262次閱讀
    <b class='flag-5'>第二代</b>AMD Versal Premium系列SoC滿足各種CXL應(yīng)用需求

    方正微電子推出第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS產(chǎn)品

    2025年4月16日,在上海舉行的三電關(guān)鍵技術(shù)高峰論壇上,方正微電子副總裁彭建華先生正式發(fā)布了第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品,性能達(dá)到國際頭部領(lǐng)先水平。
    的頭像 發(fā)表于 04-17 17:06 ?1534次閱讀

    Framework召開第二代產(chǎn)品發(fā)布會,新品搶先看!

    2025年2月25日,F(xiàn)ramework在美國舊金山召開了盛大的第二代產(chǎn)品發(fā)布會。Framework發(fā)布了有史以來最大規(guī)模的一系列新品,包括Framework臺式機(jī)
    的頭像 發(fā)表于 03-19 17:55 ?1506次閱讀
    Framework召開<b class='flag-5'>第二代</b>產(chǎn)品發(fā)布會,新品搶先看!

    英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

    英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m
    的頭像 發(fā)表于 03-15 18:56 ?1827次閱讀