在當今科技飛速發(fā)展的時代，芯片等高新科技領(lǐng)域的創(chuàng)新成為了國家經(jīng)濟發(fā)展的核心動力。近日，國務(wù)院國資委、國家發(fā)改委發(fā)布《關(guān)于規(guī)范中央企業(yè)采購管理工作的指導意見》(以下簡稱指導意見)，強調(diào)在芯片等科技創(chuàng)新重點領(lǐng)域，央企將帶頭使用創(chuàng)新產(chǎn)品。在萬年芯看來，這無疑為我國的科技創(chuàng)新注入了強大的動力。

指導意見提到，在衛(wèi)星導航、芯片、高端數(shù)控機床、工業(yè)機器人、先進醫(yī)療設(shè)備等科技創(chuàng)新重點領(lǐng)域，充分發(fā)揮中央企業(yè)采購使用的主力軍作用，帶頭使用創(chuàng)新產(chǎn)品。

指導意見要求，要公開破除行業(yè)壟斷行為，更要競爭擇優(yōu)，廣泛搜尋供應資源，以性能價格比最佳、全生命周期綜合成本最優(yōu)為目標，優(yōu)選供應商、承包商或服務(wù)商。

在眾多積極響應這一號召的企業(yè)中，萬年芯這家具有前瞻性和創(chuàng)新精神的企業(yè)脫穎而出。萬年芯成立于2017年，目前已獲得國內(nèi)專利134項，是國家專精特新“小巨人”企業(yè)、“國家知識產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢企業(yè)”，擁有國家級博士后工作站。致力于碳化硅（SiC）功率模塊、封裝測試的研發(fā)與創(chuàng)新。

萬年芯研發(fā)的碳化硅（SiC）功率模塊及器件封裝產(chǎn)品包括：

SiC PIM模塊：具有高耐壓、高可靠性、低損耗以及可高頻、高溫操作等優(yōu)越性能，相比硅基IGBT PIM，這款碳化硅PIM的額定電流提升了50%，適用于新能源汽車、充電樁、儲能等新興領(lǐng)域。

智能功率模塊（IPM）：封裝使用AMB/DBC陶瓷基板和焊片，具有高可靠性、高效、高頻、使用方便等優(yōu)勢，適用于各類電源管理、電子產(chǎn)品邏輯電路控制等方面。

超低內(nèi)阻SiC MOSFET：采用自主研發(fā)的框架結(jié)構(gòu)，TO247-4PHC封裝具有強大的過流能力（持續(xù)電流200A）、耐壓能力（3300V），適用于40-60kW充電樁電源、100kW工商儲能PCS、5G電源、太陽能光伏逆變器、電網(wǎng)、高鐵、汽車等行業(yè)。

國資委與發(fā)改委的這一決策，為萬年芯等高新科技企業(yè)帶來了發(fā)展機遇。央企帶頭使用重點領(lǐng)域創(chuàng)新產(chǎn)品，將有效激勵萬年芯等半導體企業(yè)不斷提升產(chǎn)品質(zhì)量和技術(shù)水平，以滿足央企等高端用戶對于芯片性能和安全性的嚴格要求。

對于整個行業(yè)而言，央企在芯片等重點領(lǐng)域帶頭使用創(chuàng)新產(chǎn)品，將營造出鼓勵創(chuàng)新、支持創(chuàng)新的良好環(huán)境，吸引更多企業(yè)和人才投身于重點領(lǐng)域研發(fā)，更有助于提升我國芯片產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新能力和國際競爭力，推動相關(guān)產(chǎn)業(yè)的升級和轉(zhuǎn)型，為經(jīng)濟的高質(zhì)量發(fā)展注入活力。