美光科技股份有限公司(納斯達克股票代碼:MU)近日宣布,已出樣多路復用雙列直插式內存模塊(MRDIMM)。該款 MRDIMM 將賦能美光客戶應對日益繁重的工作負載,從而最大化計算基礎設施的價值。對于需要每個 DIMM 插槽內存超過 128GB 的應用,美光 MRDIMM 提供最高帶寬、最大容量、最低延遲以及更高的每瓦性能,在加速內存密集型虛擬化多租戶、高性能計算和 AI 數據中心工作負載方面,表現優于當前的 TSV RDIMM。1該款全新內存產品為美光 MRDIMM系列的首代,將與英特爾至強6 處理器兼容。
美光副總裁暨計算產品事業群總經理
Praveen Vaidyanathan 表示:
“美光最新的創新主存解決方案 MRDIMM 為下一代服務器平臺提供了亟需的帶寬和容量,并降低了延遲,旨在擴展 AI 推理和高性能計算應用。MRDIMM 在提供與 RDIMM 相同的可靠性、可用性及適用性和接口的同時,顯著降低了每項任務的能耗,為客戶帶來了性能可擴展的靈活解決方案。美光與業界的緊密合作,確保該解決方案能與現有服務器基礎設施無縫集成,并順利過渡到未來的計算平臺。”
通過實施 DDR5 的物理和電氣標準,MRDIMM 實現了內存技術的突破,使單核心的帶寬和容量得以擴展,為未來的計算系統提供堅實保障,并能滿足數據中心工作負載日益增長的需求。與 RDIMM 相比,MRDIMM 具有以下優勢:2
●有效內存帶寬提升高達39% 2
●總線效率提升超過15%2
●與RDIMM相比,延遲降低高達40%3
MRDIMM 支持從 32GB 到 256GB 廣泛的容量選擇,涵蓋標準型和高型外形規格(TFF),適用于高性能的 1U 和 2U 服務器。得益于 TFF模塊優化的散熱設計,在同等功耗和氣流條件下,4DRAM 溫度可降低高達 20攝氏度,為數據中心帶來更高效的散熱,并優化內存密集型工作負載的總系統任務能耗。美光憑借業界領先的內存設計和制程技術,在 256GB TFF MRDIMM 上采用 32Gb DRAM 芯片,實現了與采用 16Gb 芯片的 128GB TFF MRDIMM 相同的功耗表現。在最大數據傳輸速率下,256GB TFF MRDIMM 的性能比相同容量的 TSV RDIMM 提升 35%。5與 TSV RDIMM 相比,使用 256GB TFF MRDIMM,數據中心可以獲得前所未有的總體擁有成本(TCO)優勢。
英特爾副總裁兼數據中心至強6產品
管理總經理 Matt Langman 表示:
“借助 DDR5接口和技術,MRDIMM實現了與現有英特爾至強6 處理器平臺的無縫兼容,為客戶帶來了更高的靈活性和更多選擇。MRDIMM為客戶提供全面的選項,包括更高的帶寬、更低的延遲以及多樣的容量規格,適用于高性能計算、AI 及多種工作負載,且這一切均在同一支持標準 DIMM的英特爾至強6 處理器平臺上實現。我們的客戶將從美光廣泛的 MRDIMM產品組合中受益,這些產品涵蓋從 32GB到 256GB的不同容量,包括標準和高型兩種外形規格,并將與英特爾至強6 平臺進行驗證。”
聯想集團副總裁兼人工智能和高性能計算
總經理 Scott Tease 表示:
“隨著處理器和 GPU 供應商提供的產品核心數呈指數級增長,所需的內存帶寬卻未能跟上這一趨勢,以滿足系統性能平衡的需求。針對內存密集型任務,如 AI 推理、AI 再訓練以及眾多高性能計算工作負載,美光 MRDIMM 將助力縮小帶寬差距。我們與美光的合作愈發緊密,致力于為我們共同的客戶提供平衡、高性能、可持續的技術解決方案。”
美光 MRDIMM 現已開售,并將于 2024 年下半年批量出貨。后續幾代 MRDIMM 產品將繼續提供比同代 RDIMM 高 45%的單通道內存帶寬。6如需了解美光 MRDIMM 創新的更多信息,請訪問:美光 MRDIMM 內存。
1基于 GNR-AP 平臺,使用英特爾 Memory Latency Checker(MLC)工具,針對 MRDIMM(經驗數據為 8800MT/s)和 TSV RDIMM(預估數據為 6400MT/s)在不同內存時鐘下的只讀帶寬數據進行測試。
2基于英特爾 Memory Latency Checker(MLC)工具,對 128GB MRDIMM 8800MT/s 與 128GB RDIMM 6400MT/s 進行經驗數據對比測試。
3基于經驗得出 Stream Triad 數據,對 128GB MRDIMM 8800MT/s 與 128GB RDIMM 6400MT/s 進行對比。
4最高 DRAM 溫度模擬對比:1U 服務器機箱中的標準外形規格(SFF)DIMM 與 2U 服務器機箱中的高型外形規格(TFF)MRDIMM。
5基于 GNR-AP 平臺,使用英特爾 Memory Latency Checker(MLC)工具,針對 MRDIMM (經驗數據為8800MT/s)和當前一代 TSV RDIMM(預估數據為6400MT/s)在不同內存時鐘下的只讀帶寬數據進行測試。
6基于 MRDIMM 相對于 RDIMM 的預期未來速率,數據傳輸速率將有所提升。
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原文標題:美光 MRDIMM 創新技術打造最高性能、低延遲主存,為數據中心工作負載加速
文章出處:【微信號:gh_195c6bf0b140,微信公眾號:Micron美光科技】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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