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Part 01
前言


Part 02
實例計算
W0=(Vesd0-Vcl)*Vcl*Cesd0
其中Vesd0表示規格書中IC允許承受的最大ESD電壓(比如下圖的5000V),可以在規格書中找到這個參數,Vcl表示IC內部ESD防護模塊的鉗位電壓(比如下圖的64V),Cesd0表示IC ESD測試的放電電容(比如下圖的100pF)。


W1=(Vesd1-Vcl*(1+Cext/Cesd1))*Vcl*Cesd1
其中Vesd1表示產品實際測試的最大ESD電壓,比如8KV,Vcl表示IC內部ESD防護模塊的鉗位電壓,Cext表示外部添加的ESD電容,Cesd1表示產品實際測試的ESD 放電電容(比如330pF)。
3.添加的外部ESD電容容值如何計算?
基于IC實際吸收的ESD能量W1要小于IC允許的最大ESD脈沖能量W0可以計算出外部電容的最小容值:
Cext_min=((Vesd1-Vcl)*Cesd1/Vcl)-W0/Vcl*Vcl
以接觸放電8KV,源電容330pF,放電電阻2kΩ,可以計算出Cext_min>33nF。
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原文標題:一種新的MLCC陶瓷電容用于電路靜電ESD保護的電容容值計算方法
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