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0706線下活動 I DDR4/DDR5內存技術高速信號專題設計技術交流活動

深圳(耀創)電子科技有限公司 ? 2024-07-06 08:12 ? 次閱讀
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01

活動主題

DDR4/DDR5內存技術高速信號專題設計技術交流活動

時間:2024年7月6日(本周六) 10:00

地點:深圳市南山區科技南十二路曙光大廈1002(深圳地鐵1號線,高新園地鐵站D出口200米)

02

活動內容

1、本次活動重點分析DDR4/DDR5的內存控制原理,內存控制技術中的讀寫原理方法、原理圖設計和關鍵的信號特征。講解DDR4/DDR5的原理圖設計技巧,PCB設計中拓撲規劃,布局的設計技巧,阻抗的控制技巧,基于拓撲的規則設計技巧等。

2、從DDR4/DDR5內存地址、數據、命令、控制信號的原理入手講解在設計中的各種布線繞線的技巧辦法等。

3、講解DDR4/DDR5設計中的寄生參數的提取辦法和阻抗的控制技巧,延遲實際的控制技巧,Z方向過孔的補償處理等,同組內數據的擬合與對比辦法等,保證設計即正確的辦法。

03

活動說明

熱烈歡迎大家積極參與討論和技術交流,活動參與無需任何費用,優先邀請內群學習朋友和有急需解決技術問題的朋友前來。考慮到場地有限(僅限8人),需要報名的朋友,請掃描下面二維碼,現場提供茶水咖啡及小零食,歡迎大家。

04

活動截圖

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