新型TMR磁柵傳感器配合 0.4mm 磁極距磁柵的解決方案，支持高精度線性位移測量，具有出色的溫度穩定性和抗雜散磁場干擾能力，在消費和工業應用中可實現的微米級的測量精度。

2024年6月11日消息，在德國 Sensor+Test 2024 國際傳感器及測量測試展覽會上，專業的隧道磁阻 (TMR) 磁傳感器領先制造商江蘇多維科技有限公司 (MultiDimension Technology Co., Ltd., MDT) 啟動了TMR4101微米級高精度磁柵傳感器芯片的全球銷售業務。

TMR4101典型輸出信號波形

多維科技TMR4101磁柵傳感器芯片用于消費電子和工業應用，包括相機自動對焦和變焦、微米級位移測量、線性和角度位置測量和磁編碼器。TMR4101磁柵傳感器芯片與磁極距為0.4mm的多極磁柵配合使用，當傳感器沿磁柵移動時，其兩個推挽式TMR半橋結構輸出相位差為90°的正弦和余弦信號，信號的周期對應于相鄰的一對南北磁極的總長度為0.8mm。

憑借多維科技獨特的TMR技術，TMR4101磁柵傳感器芯片具有優異的信號靈敏度和低噪聲特性，其差分梯度式的傳感器設計實現了對雜散磁場信號的抗干擾能力。TMR4101磁柵傳感器芯片支持溫度補償的高精度測量方案，測量位置由具有相同溫度特性的正弦和余弦信號計算得出，可有效地抑制溫度對測量精度的影響。多維科技同時提供0.4mm磁極距的高精度磁柵，以配合TMR4101磁柵傳感器芯片使用，磁柵的長度和寬度可以根據應用需求進行定制。TMR4101與磁柵的配合使用，在典型應用中可以實現±1微米以內的重復定位精度。

TMR4101與配套磁柵的相對位置示意圖

TMR4101典型特性

在任意的位移范圍內實現一致的微米級測量精度;

穩定的信號輸出，對機械定位和測量氣隙有較大容差;

出色的抗雜散磁場干擾的能力;

支持溫度補償的精準測量方案;

超薄DFN4L封裝(1.32 mm×0.66 mm×0.3mm)，適用于智能手機攝像頭模組等空間受限的應用;

符合RoHS/REACH標準。

TMR4101封裝圖(DFN4L)

審核編輯：彭菁