三星電子日前在韓國舉行的“AI-PIM 研討會”上透露，公司正在按計劃提升 eMRAM 內存制造工藝，當前已基本完成 8nm eMRAM 的研發。

作為新一代存儲器，MRAM（磁阻隨機存取存儲器）利用磁效應保存信息，無需頻繁刷新且更加節能高效。與傳統的 DRAM 相比，MRAM 的寫入速度可達到 NAND 的 1000 倍，適用于高寫入速率的應用場景。

針對嵌入式市場的 eMRAM，三星電子現已具備 28nm eMRAM 的生產能力，并已開始為智能手表等設備供應此類產品。

據2023 年的報道，三星電子曾宣布計劃于 2024 年量產 14nm eMRAM，2026 年量產 8nm eMRAM，并預計在 2027 年實現 5nm eMRAM 的量產。

截至目前，三星電子已經成功研發出 14nm eMRAM，8nm eMRAM 的研發工作也接近尾聲，公司仍計劃在 2027 年推出 5nm eMRAM。

此外，三星電子預測未來汽車領域對 eMRAM 的需求將會持續增加，因為其產品能夠承受高達 150~160℃的溫度，完全符合汽車行業對半導體的嚴格標準。