據(jù)韓媒Business Korea報(bào)道,三星擬于今年6月發(fā)布1納米制程規(guī)劃,并計(jì)劃將該項(xiàng)目的量產(chǎn)時(shí)間由原定的2027年提前至2026年。原先設(shè)定的SF1.4工藝的量產(chǎn)日期為2027年,但現(xiàn)已調(diào)整為2026年。
據(jù)悉,三星電子晶圓代工部門將于6月12日至13日在美國硅谷舉行晶圓代工及SAFE論壇,期間將披露其技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖以及強(qiáng)化晶圓代工生態(tài)系統(tǒng)的相關(guān)策略。
根據(jù)三星先前的規(guī)劃,2納米的SF2工藝預(yù)計(jì)將于2025年面世。相較于3納米的第二代3GAP工藝,在同等頻率和復(fù)雜度條件下,其能效提升25%;在同等功耗和復(fù)雜度條件下,其性能提升12%,且芯片面積縮小5%。
另據(jù)TechNews早前援引外媒報(bào)道,臺(tái)積電預(yù)計(jì)將于2027-2028年間啟動(dòng)1.4納米的量產(chǎn)工作。
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