Rapidus Design Solutions首席執行官亨利?理查德近期宣布，該公司首代工藝無需High NA EUV光刻機。

據Anandtech報道，理查德對于他們目前使用的0.33N and EUV光刻解決方案在2nm節點上的表現相當滿意。

在全球四大先進制程代工巨頭（包括臺積電、三星電子、英特爾以及Rapidus）中，只有英特爾明確表示將使用High NA EUV光刻機進行大規模生產。

臺積電聯席副COO張曉強曾表示，他并不看好ASML High NA EUV光刻機的高昂售價；三星電子的Kang Young Seog研究員也持有相似觀點。

除了計劃于2025年試產、2027年量產的2nm工藝，Rapidus已經開始規劃下一階段的1.4nm工藝。

理查德還透露，這家新興的日本代工廠可能會在1.4nm工藝中選擇其他的解決方案（即High NA EUV光刻）。

理查德表示，從潛在客戶和EDA企業那里得知，整個先進半導體行業正在尋找除臺積電以外的第二個獨立代工供應商作為替代。

與同時擁有自家芯片業務的三星電子和英特爾不同，Rapidus是一家專注于代工服務的企業，這使得它在合作伙伴眼中更加具有吸引力。

理查德預計，2nm及以下的高端半導體市場將達到1500億美元（約合1.09萬億元人民幣），因此Rapidus只需要占據較小的市場份額就能取得成功。