據三名知情者透露，因發熱與能耗問題，三星最新款高帶寬存儲（HBM）芯片尚未通過英偉達測試，這使得測試被迫中斷。這款有問題的芯片為HBM3，是當前人工智能（AI）圖形處理器（GPU）中最常采用的第四代HBM標準，同時也涉及到三星及其他競爭對手計劃于今年推出的第五代HBM3E芯片。

這是三星首次公開承認未能通過英偉達測試的原因。三星在聲明中表示，HBM是定制化存儲產品，需“依據客戶需求進行優化”，并強調正與客戶緊密合作以提升產品性能。然而，對于具體客戶信息，三星并未作出回應。英偉達同樣保持沉默。

HBM是一種動態隨機存取存儲器，于2013年問世，通過芯片垂直堆疊以節約空間、降低能耗，適用于處理復雜AI應用所產生的海量數據。隨著生成式AI的崛起，市場對復雜GPU的需求激增，HBM的需求也水漲船高。英偉達在全球AI應用GPU市場占有約80%的份額。

據悉，自去年起，三星一直在全力爭取通過英偉達的HBM3和HBM3E測試。其中，三星8層和12層HBM3E芯片最近一次測試失敗的結果于4月份公布。相比之下，SK海力士作為英偉達的主要HBM芯片供應商，自2022年6月起便開始供應HBM3；而美光則表示將向英偉達提供HBM3E。

目前尚不確定三星能否順利解決上述問題，但消息人士指出，未能達到英偉達的要求已經引發業內和投資者的憂慮，他們擔心三星的HBM技術可能會進一步落后于競爭對手SK海力士和美光。