荷蘭媒體 Bits&Chips 日前爆料，ASML 正探討推出通用 EUV 光刻平臺的可能性。該公司首席技術官、現擔任顧問的馬丁?范登布林克（Martin van den Brink）于最近召開的 imec ITF World 技術論壇發表講話時透露，ASML 計劃在未來十年內打造一個集成 Low NA（0.33NA）、High NA（0.55NA）以及預計達到 0.7NA 的 Hyper NA 系統的單一平臺。

范登布林克指出，更高的數值孔徑能提高光刻分辨率。他進一步解釋說，Hyper NA 光刻機將簡化先進制程生產流程，避免因使用 High NA 光刻機進行雙重圖案化導致的額外步驟及風險。

他強調，共享同一基礎平臺的多種 EUV 光刻機會降低研發成本，并方便將 Hyper-NA 機臺的技術進步推廣至數值孔徑較小的光刻機。據悉，ASML 最新款 0.33NA EUV 光刻機 NXE:3800E 已采用為 High NA 光刻機設計的高速載物臺移動系統。

此外，ASML 計劃將其 DUV 和 EUV 光刻機的晶圓吞吐量由目前的每小時 200~300 片提升至每小時 400~500 片，以提高單臺光刻機的生產效率，進而降低行業成本。

范登布林克在演講中還提及，當前人工智能的發展趨勢顯示，消費者對多樣化應用有強烈需求，但受限于能耗、計算能力和海量數據集等因素。