SemiQ汽車用SiC MOSFET 介紹
SemiQ 的 SiC 產品為汽車應用提供一流的可靠性、質量和性能。我們提供模塊和分立封裝形式的 1200V MOSFET，旨在最大限度地提高效率。
DC-DC 轉換器對于維護電動汽車的電氣系統至關重要。它們確保所有子系統都能獲得運行所需的適當電壓水平，同時最大限度地提高能源效率和安全性。這有助于現代電動汽車中高壓組件與低壓系統的無縫集成。
SemiQ SiC 在汽車領域的優勢
1、高效率
2、增強的可靠性
3、寬電壓和電流范圍
4、低功耗
5、溫度耐受性
6、可持續發展
典型 DC-DC 轉換器原理圖：
汽車用SemiQ SiC MOSFET 1200V 產品系列：
GP2T040A120J/GP2T080A120J
特征：
SiC MOSFET
高速開關
可靠的晶體二極管
所有部件測試電壓大于1400V
GP2T040A120J測試至400mJ/GP2T080A120J測試至200mJ
優勢：
較低的電容
更高的系統效率
易于并行
降低開關損耗
間隙距離更長
應用：
太陽能轉化器
開關模式電源，UPS
感應加熱和焊接
電動汽車充電站
高壓DC/DC轉換器
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
轉換器
+關注
關注
27文章
9419瀏覽量
156403 -
MOSFET
+關注
關注
151文章
9679瀏覽量
233663 -
SiC
+關注
關注
32文章
3726瀏覽量
69446
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
傾佳電子單相戶用儲能逆變器中Heric拓撲的綜合分析及其SiC MOSFET應用價值
傾佳電子單相戶用儲能逆變器中Heric拓撲的綜合分析及其SiC MOSFET應用價值 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中
三菱電機SiC MOSFET在電動汽車中的應用（2）
隨著市場需求的不斷增長，SiC MOSFET在電動汽車中的應用日益廣泛，已經成為推動電動汽車電氣化和高效能的重要技術之一。上一篇我們介紹了三
三菱電機SiC MOSFET在電動汽車中的應用（1）
隨著市場需求的不斷增長，SiC MOSFET在電動汽車中的應用日益廣泛，已經成為推動電動汽車高效能的重要技術之一。本章節主要帶你探究三菱電機的SiC
SiC MOSFET模塊的損耗計算
為了安全使用SiC模塊，需要計算工作條件下的功率損耗和結溫，并在額定值范圍內使用。MOSFET損耗計算與IGBT既有相似之處，也有不同。相對IGBT，MOSFET可以反向導通，即工作在同步整流模式。本文簡要
SiC MOSFET計算損耗的方法
本文將介紹如何根據開關波形計算使用了SiC MOSFET的開關電路中的SiC MOSFET的損耗。這是一種在線性近似的有效范圍內對開關波形進
SiC MOSFET并聯運行實現靜態均流的基本要求和注意事項
通過并聯SiC MOSFET功率器件，可以獲得更高輸出電流，滿足更大功率系統的要求。本章節主要介紹了SiC MOSFET并聯運行實現靜態均流
國產SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器（APF）中的革新應用
傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅
SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模塊：高效能、超快開關與卓越熱管理
近日，半導體技術公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產品采用先進的共封裝設計，具備更快的開關速度、更低的導通與開關損耗，適用于
SiC MOSFET 開關模塊RC緩沖吸收電路的參數優化設計
0? 引言SiC-MOSFET 開關模塊（簡稱“SiC 模塊”）由于其高開關速度、高耐壓、低損耗的特點特別適合于高頻、大功率的應用場合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關速度更快
發表于 04-23 11:25
SemiQ高效1200 V SiC MOSFET六合一模塊，助力緊湊型高性能電源系統
在高電壓和高效率應用領域，SemiQ作為一家領先的設計和開發企業，近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創新模塊旨在支持更為緊湊且具有成本效益的系統設計，以滿足
麥科信光隔離探頭在碳化硅（SiC）MOSFET動態測試中的應用
碳化硅（SiC）MOSFET 是基于寬禁帶半導體材料碳化硅（SiC）制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管，相較于傳統硅（Si）MOSFET，具有更高的擊穿電壓、更低的導通電阻、更快的開關
發表于 04-08 16:00
SiC MOSFET的動態特性
本文詳細介紹了SiC MOSFET的動態特性。包括閾值電壓特性、開通和關斷特性以及體二極管的反向恢復特性。此外，還應注意測試波形的準確性。
工商網監
評論