4月23日，在比利時新魯汶的愛因斯坦高科技園區，晶湛半導體和 Incize 達成了一份戰略合作備忘錄，雙方將在硅基氮化鎵外延技術的建模、仿真和測試方面進行深入的戰略合作。

據了解，自2019年以來，晶湛半導體和 Incize 雙方在硅基氮化鎵外延的質量標準上一直保持著密切合作，合力提升硅基氮化鎵外延品質以滿足無線通信應用的苛刻需求。兩家公司基于對合作成果的認可，決定正式建立合作伙伴關系，以進一步擴大和加強戰略合作，將更多創新產品推向充滿前景和活力的市場。

隨著外延技術的發展，硅基氮化鎵通信器件取得了重大進展。然而，射頻損耗是硅基氮化鎵成為無線通信應用主流技術的重要瓶頸。晶湛通過獨有的緩沖層生長技術，大幅降低硅基氮化鎵的射頻損耗，使其Low Loss GaN 產品達到與Trap-rich SOI相當的水準，為硅基氮化鎵成為主流技術鋪平道路。

二次諧波失真基準圖（負值越大越好）：Enkris硅基氮化鎵Low Loss GaN（實心三角形）與其他供應商（空心三角形）以及Trap-rich SOI技術（實心圓圈）的對比。

Incize 創始人兼CEO Mostafa Emam 博士表示：“INCIZE是以創新器件測試和建模著稱的比利時公司，也是倡導振興歐洲半導體生態圈的一員。得益于行業領先的建模、設計和測試團隊以及最先進的技術設備，Incize客戶類型覆蓋了代工廠、晶圓制造商和 IC 設計公司。Incize 堅信，企業要設計更好的無線通信芯片，對襯底和底層技術進行創新和升級至關重要，Incize積極參與并樂于幫助晶圓制造商的創新。晶湛半導體已經成為外延領域的主要供應商之一，在III-V 族材料的制備上深耕多年，并且有著深厚的研發底蘊，這與我們 Incize 的經驗和服務完美契合。”

晶湛半導體創始人兼CEO程凱博士表示：“晶湛目前針對不同應用的GaN-on-Si外延材料，無論是在銷售客戶端、生產供應鏈還是技術開發端都取得了長足進步，其中無線通信應用是一個要求很高但前景廣闊的市場，我們很高興加強晶湛和 Incize 之間現有的合作，也將進一步開展長期合作，推動下一代硅基氮化鎵的發展。Incize擁有先進的測試設備、專業流程和建模團隊資源，此次合作將為晶湛提供在外延材料方面進行深度創新試驗的機會。”

晶湛半導體成立于 2012 年，是一家 GaN外延代工廠，為電力電子、無線應用和 micro-LED 應用的客戶提供高質量的 GaN 外延材料解決方案。其產品包括GaN-on-Si、GaN-on-GaN和GaN-on-Sapphire，晶圓尺寸最大可達300mm。公司還可以為客戶提供晶湛知識產權的定制結構，以滿足客戶特定的要求。

Incize 成立于 2014 年，十年來的客戶信任和自主創新使得公司從材料、設備、電路到系統層面，為高度動態的無線通信應用市場提供服務。高素質團隊在無線通信材料和器件的模擬、測試和建模方面積累了豐富的經驗，并長期提供令客戶滿意的高質量服務。Incize 的客戶是世界各地的晶圓制造商、代工廠、無晶圓廠和IDM。Incize 自豪地為無線通信半導體市場的所有主要參與者提供廣泛的服務。

審核編輯：劉清