據(jù)天眼查信息，武漢新芯集成電路制造有限公司近期獲得了一項涉及“圖像傳感器及其制備工藝”的專利，專利編號為CN112397539B，該專利于2024年4月16日正式生效，其申請日期為2020年11月13日。

此項專利提出的圖像傳感器及其制備工藝主要包括以下步驟：首先，在基板上布置若干像素單元，這些像素單元被安置在基板內(nèi)部的第一類型阱區(qū)中；接著，通過刻蝕工藝在相鄰像素單元之間形成隔離溝槽；然后，在隔離溝槽周圍的基板上進(jìn)行第二類型離子注入，使之與第一類型阱區(qū)中的離子形成PN結(jié)；最后，使用隔離層填充隔離溝槽。這種設(shè)計將深度溝槽隔離（DTI）與離子注入形成PN結(jié)隔離相結(jié)合，在隔離溝槽周圍的基板內(nèi)形成PN結(jié)，有效阻止了缺陷造成的載流子竄入讀取區(qū)和感光區(qū)，從而減少暗電流并提升光學(xué)和電氣隔離效果。此外，減小了隔離區(qū)的面積，從而提升了圖像傳感器的芯片面積利用率。