国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

什么是SiC boat?SiC boat有幾種不同的制作工藝?

中科院半導體所 ? 來源:Tom聊芯片智造 ? 2024-04-18 15:44 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

本文簡單介紹了碳化硅舟的概念、制作工藝以及不能用干法清洗的原因。

爐管中的SiC boat為什么不能dry clean?

什么是SiC boat?

SiC boat,即碳化硅舟。碳化硅舟是用在爐管中,裝載載晶圓進行高溫處理的耐高溫配件。由于碳化硅材料具有耐高溫、抗化學腐蝕和良好的熱穩定性等特性,它被廣泛用于各種熱處理過程,如擴散、氧化、CVD、退火等。

SiC boat有幾種不同的制作工藝?

1,在石墨晶舟表面CVD一層SiC薄膜。

該種類型的舟主體是石墨,一體加工成型。但是石墨多孔,容易產生顆粒,必須在石墨晶舟表面涂敷一層SiC薄膜,由于石墨體和SiC薄膜之間的 CTE(熱膨脹系數)不匹配,SiC薄膜通常在多次升降溫使用后容易剝落,導致顆粒的產生。這種舟最便宜,使用壽命在一年左右。

2,在重結晶的SiC晶舟上CVD一層SiC薄膜。

重結晶的SiC晶舟是多孔的,也易產生顆粒,因此需要將重結晶的SiC晶舟的幾個單元部件先預先成型、燒結,然后分別加工,之后將各個單元部件在高溫下以Si膏粘合,粘合成一晶舟之后再CVD涂覆SiC薄膜。 這種重結晶SiC晶舟制造流程最長,成本高,但是表面的CVD涂層也會損壞,壽命在3年左右。

3,一體成型的SiC晶舟

該晶舟整體都是由SiC材料構成。需要將SiC從粉末成形并燒結成一體式晶舟的相應形狀。成本極高但是很耐用,不易產生顆粒。但是這種晶舟含有10~15%的游離硅,容易被F,Cl侵蝕,從而導致微粒。

為什么不能干法清洗?

綜上,用CVD鍍一層SiC薄膜的晶舟,在干法清洗時表面SiC涂層易脫落,造成顆粒;一體成型的SiC晶舟里有少量的游離硅,容易被含F,含Cl氣體侵蝕而產生顆粒,造成污染。



審核編輯:劉清

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    32

    文章

    3724

    瀏覽量

    69435
  • 熱處理
    +關注

    關注

    0

    文章

    119

    瀏覽量

    18888
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    26

    文章

    3467

    瀏覽量

    52368

原文標題:爐管碳化硅舟為什么不能干法清洗?

文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導體所】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    62mm SiC半橋模塊與雙通道SiC驅動板設計固態變壓器(SST)功率單元

    62mm SiC半橋模塊與雙通道SiC驅動板設計固態變壓器(SST)功率單元
    的頭像 發表于 02-20 16:31 ?4198次閱讀
    62mm <b class='flag-5'>SiC</b>半橋模塊與雙通道<b class='flag-5'>SiC</b>驅動板設計固態變壓器(SST)功率單元

    安森美SiC JFET和SiC Combo JFET產品組合介紹

    本教程聚焦SiC JFET 在固態斷路器中的應用,核心內容包括三大板塊,闡釋 SiC JFET 的關鍵特性、系統說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統取得重大進步、通過評估和測試結果展示產品
    的頭像 發表于 01-22 09:40 ?2889次閱讀
    安森美<b class='flag-5'>SiC</b> JFET和<b class='flag-5'>SiC</b> Combo JFET產品組合介紹

    SiC JFET如何實現熱插拔控制

    本教程聚焦SiC JFET 在固態斷路器中的應用,核心內容包括三大板塊,闡釋 SiC JFET 的關鍵特性、系統說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統取得重大進步、通過評估和測試結果展示產品
    的頭像 發表于 01-20 09:06 ?6000次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> JFET如何實現熱插拔控制

    SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構

    碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料的代表性材料,下圖1展示了SiC的材料優勢,相較于 Si,SiC 具有更高的禁帶寬度,使 SiC 器件的工作溫度可達 300℃以上(傳統 Si 器件
    的頭像 發表于 12-05 10:05 ?7553次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b>功率MOSFET內部晶胞單元的結構

    BASiC_SiC分立器件產品介紹

    BASiC_SiC分立器件產品介紹
    發表于 09-01 16:16 ?0次下載

    不同的PCB制作工藝的流程細節

    半加成法雙面 PCB 工藝具有很強的代表性,其他類型的 PCB 工藝可參考該工藝,并通過對部分工藝步驟和方法進行調整而得到。下面以半加成法雙面 PCB
    的頭像 發表于 08-12 10:55 ?7048次閱讀
    不同的PCB<b class='flag-5'>制作工藝</b>的流程細節

    半導體碳化硅SiC制造工藝CMP后晶圓表面粗糙度檢測

    在半導體材料領域,碳化硅(SiC)因其卓越的電導性、熱穩定性和化學穩定性而成為制作高功率和高頻電子器件的理想材料。然而,為了實現這些器件的高性能,必須對SiC進行精細的表面處理。化學機械拋光(CMP
    的頭像 發表于 08-05 17:55 ?1159次閱讀
    半導體碳化硅<b class='flag-5'>SiC</b>制造<b class='flag-5'>工藝</b>CMP后晶圓表面粗糙度檢測

    深愛半導體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

    SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列!我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術,賦能客戶在三大核心維度實現飛躍性提升:效率躍升、空間減負、成本優化與可靠性保障
    發表于 07-23 14:36

    電力電子新未來:珠聯璧合,基本半導體SiC模塊及SiC驅動雙龍出擊

    珠聯璧合,SiC模塊及SiC驅動雙龍出擊 ——BASiC基本股份賦能電力電子新未來 珠聯璧合,雙龍出擊 ——BASIC Semiconductor SiC功率模塊與SiC驅動板重塑電力
    的頭像 發表于 05-03 15:29 ?773次閱讀
    電力電子新未來:珠聯璧合,基本半導體<b class='flag-5'>SiC</b>模塊及<b class='flag-5'>SiC</b>驅動雙龍出擊

    SiC MOSFET 開關模塊RC緩沖吸收電路的參數優化設計

    0? 引言SiC-MOSFET 開關模塊(簡稱“SiC 模塊”)由于其高開關速度、高耐壓、低損耗的特點特別適合于高頻、大功率的應用場合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關速度更快
    發表于 04-23 11:25

    TSSG法生長SiC單晶的原理

    SiC的物理特性決定了其生長難度。在常壓環境下,SiC并無熔點,一旦溫度攀升至2000℃以上,便會直接發生氣化分解現象。從理論層面預測,只有在壓強高達109Pa且溫度超過3200℃的極端條件下,才有
    的頭像 發表于 04-18 11:28 ?1307次閱讀
    TSSG法生長<b class='flag-5'>SiC</b>單晶的原理

    SiC二極管和SiC MOSFET的優勢

    隨著現代電子技術的不斷發展,尤其是在電力電子領域,寬禁帶半導體材料的應用逐漸受到重視。碳化硅(SiC)作為一種重要的寬禁帶半導體材料,因其優異的物理性能和電氣特性,越來越多地被應用于高效能、高頻率
    的頭像 發表于 04-17 16:20 ?1142次閱讀

    鋁電解電容的制作工藝

    鋁電解電容作為電子電路中常用的元件之一,具有容量大、價格低等優點,廣泛應用于電源濾波、低頻電路等領域。了解鋁電解電容的制作工藝,對于提高產品質量、優化生產流程具有重要意義。 主要制作步驟 (一)鋁箔
    的頭像 發表于 04-16 15:27 ?1640次閱讀
    鋁電解電容的<b class='flag-5'>制作工藝</b>

    麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動態測試中的應用

    碳化硅(SiC)MOSFET 是基于寬禁帶半導體材料碳化硅(SiC)制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管,相較于傳統硅(Si)MOSFET,具有更高的擊穿電壓、更低的導通電阻、更快的開關速度以及更優
    發表于 04-08 16:00

    SiC模塊解決儲能變流器PCS中SiC MOSFET雙極性退化失效痛點

    碳化硅(SiC) MOSFET的雙極性退化(Bipolar Degradation)是其在實際應用中面臨的重要可靠性問題,尤其在儲能變流器(PCS)等高功率、高頻應用場景中矛盾尤為突出。在儲能變
    的頭像 發表于 03-09 06:44 ?1779次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b>模塊解決儲能變流器PCS中<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET雙極性退化失效痛點