據天眼查資料，上海華虹宏力半導體近日獲批一項名為“半導體器件”的專利，其編號為CN113192948B，發布日期為2024年4月5日，申請時間為2021年4月27日。

該發明涉及一種半導體器件，包含底座，又劃分為第一和第二園區，一個位于另兩個鄰側之間；兩個子漏區，坐落于底座的第一園區；虛擬結構，位于兩子漏區間的底座上；源區，位于底座的第二園區；柵極結構，位于第一和第二園區之間的底座上。此發明通過虛擬結構提升器件的ESD性能，無需現有技術的SAB光罩或引入新工藝流程，可直接在制造過程中同步構建虛擬結構，從而降低器件的生產成本。