珠海創飛芯科技有限公司（簡稱“創飛芯”“CFX”），國內領先的一站式存儲NVM IP供應商，近日宣布在全球排名前五的晶圓代工廠中，針對90納米CMOS圖像傳感器（CIS）工藝制程上的OTP IP(一次性可編程存儲IP核）已成功進入量產階段。該OTP IP采用了創飛芯的第二代存儲單元，相較于第一代的存儲單元面積縮小了55%，極具優勢及競爭力。該OTP IP已在90納米CIS工藝制程上通過了晶圓代工廠要求的可靠性質量驗證，目前在客戶產品中驗證通過并實現大規模量產，該技術突破標志著公司的IP產品在圖像傳感器領域取得了重要進步，能夠為圖像傳感器領域的客戶提供更高可靠性、低成本、小面積的OTP IP解決方案。

OTP IP在CIS領域發揮重要作用

OTP(One-Time Programmable) IP ，一次可編程知識產權核，燒入后可使得數據不能被再次更改和清除。隨著嵌入式應用越來越廣泛，OTP 可起到保護硬件設計的作用，同時能夠保護產品安全，防止被非法侵入，被廣泛應用于顯示驅動、圖像傳感器、電源管理芯片、MCU、藍牙芯片等領域。

而在圖像傳感器領域，在生產過程中，即便采用了最好的制造工藝也難免會因為制造差異，導致產生圖像失真等問題。而為了糾正圖像失真，需要一種存儲器來存儲有缺陷像素的位置和傳感器陣列的修調信息，此時OTP IP成為了絕佳的選擇。OTP IP只需在制造流程中編程一次數值，便可以永久存儲位置信息、校正數據及其他數值，實現CIS芯片每次上電時都能夠進行信息讀取，從而實現圖像糾正。

創飛芯推出適用于 CIS 應用的安全、可靠、小面積的OTPIP

l 無需額外工藝條件與步驟：創飛芯核心團隊于2013年已開始布局OTP專利，在反熔絲OTP IP技術上積累了深厚的基礎，并得到了廣泛的市場驗證及客戶認可，完全可靠且安全。反熔絲OTP IP制造過程中無需額外工藝條件與步驟，并且在標準 CMOS 工藝中，反熔絲OTP IP可采用與邏輯器件相同的規則進行設計，因此二次開發成本低，具有可擴展性等優勢。

l 高可靠性：反熔絲 OTP IP的底層技術是通過氧化層擊穿編程，通過應用高電壓實現，并且由于制造工藝不需要進行任何更改，因此反熔絲 OTP IP可以獲得與標準 CMOS 工藝相同的良率和高可靠性。

l IP核面積小：創飛芯通過技術積累及不斷迭代，實現了極具競爭力的IP面積，目前采用創飛芯第二代存儲單元的OTP IP，相比第一代存儲單元面積縮小55%，能夠為客戶的CIS產品應用強勢賦能，為廠商客戶提供安全可靠、低成本、低功耗的解決方案。

創飛芯OTP IP產品動態

創飛芯目前與國內外多家先進晶圓制造廠商都建立了深度戰略合作關系，工藝節點已驗證覆蓋包括180/130/110/90/55/40/28/22納米等，并且能夠根據不同工藝節點和不同技術路線的特點，幫助客戶采用能滿足其應用場景和特定需求，在功耗、尺寸、性能、成本等各方面指標達到需求的OTP IP最優方案。

創飛芯作為大陸領先的OTP IP供應商，在嵌入式非揮發存儲領域耕耘多年，已向國內多家行業龍頭設計公司提供多種成熟、可靠、有競爭力的OTP IP方案，洞察中國本土市場和客戶的特定需求，助力國內IC企業實現國產替代，累計服務客戶超過50家，累計10億+顆芯片使用創飛芯的NVM IP解決方案。創飛芯依靠其強勁的研發能力以及多年積累的技術經驗，并將不斷投入研發，持續增強核心競爭力，期待為廣大應用市場提供更完善的OTP IP技術解決方案，為國產NVM IP領域貢獻重要力量。