近期，美國商務部針對半導體出口管制制定出修訂版法規，其中包括加強對EUV掩膜與刻蝕機等設備的生產監管，對中國澳門特別行政區及D:5組地適用“推定拒絕”原則，以及重申AI芯片許可證及例外情形的實施準則等內容，新規定預計自4月4日起在美國本土施行，而對其的評論意見征集截至日期為4月29日。

據相關研究報告揭示，此次美國商務部工業安全局（簡稱BIS）推出的對華出口管制變動主要體現在以下幾個方面：

首先，對EUV掩膜基板追加管制。特別是專供EUV光刻制程之用的掩膜基板現已正式納入出口控制范圍，相關出口皆需遵循嚴格的許可要求。

其次，調整特定區域出口規則。針對中國澳門或D:5國別，所有出口、轉運乃至境內流轉行為都需要取得出口許可證，同時還需嚴格核查最終用途與最終用戶，實行“推定拒絕”策略。

再次，明確部分技術關鍵指標。對集成電路的“總體處理效能”（TPP）和“性能密度”（PD）給出更為細致的定義及計算方式。其中，TPP依據百萬次乘積累加操作每秒（MacTOPS）理論值計算得出，而性能密度則是TPP除以適用芯片面積所得到的數值。

第四，增設整機產品限制條例。凡計算機、電子元件及組件內含有超過特定性能參數如總處理效能或性能密度的集成電路時，須服從出口管制規定。

最后，推廣逐個案件審查策略。對涉及人工智能等高性能芯片及相關制造技術的出口，將嚴格執行“逐案審查”原則，綜合考量技術水平、客戶背景、合規計劃及合同規范性等各方面因素。