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臺(tái)積電2nm進(jìn)展超預(yù)期,首季產(chǎn)能利用率達(dá)80%以上

微云疏影 ? 來(lái)源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-02-20 14:39 ? 次閱讀
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據(jù)全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈透露,臺(tái)積電不僅現(xiàn)有的成熟制程產(chǎn)能利用情況大幅改善,其最先進(jìn)的2nm項(xiàng)目也取得了比預(yù)期更好的進(jìn)展。

受此帶動(dòng),其首季度的8寸與12寸晶圓產(chǎn)能均實(shí)現(xiàn)大幅回暖,其中特別值得關(guān)注的是5/4nm制程滿負(fù)荷運(yùn)行。特別引人注目的是,原本價(jià)格高達(dá)近2萬(wàn)美元的3nm制程的產(chǎn)能利用率從去年底的75%飆升到了今年初的95%,且首季度月產(chǎn)能已經(jīng)提前達(dá)標(biāo)。

據(jù)悉,臺(tái)積電2nm項(xiàng)目進(jìn)展順利,寶山P1廠定于2024年第四季度開始進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),并在2025年第二季度啟動(dòng)大規(guī)模量產(chǎn),該項(xiàng)目首個(gè)確定的客戶依然是蘋果。此外,英特爾聯(lián)發(fā)科、高通、AMD以及英偉達(dá)等大牌廠商也已經(jīng)跟進(jìn)參與。

根據(jù)前期報(bào)道,臺(tái)積電正在積極推進(jìn)新工廠建設(shè)以提高2nm芯片產(chǎn)量。其供應(yīng)商計(jì)劃采用RUVFET(GAAFET)或含有納米片的全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù),而非FinFET技術(shù)。雖然這會(huì)使生產(chǎn)工藝更為復(fù)雜,但能降低晶體管尺寸和能耗。

有報(bào)道稱,蘋果預(yù)計(jì)將在2025年采用配備2nm制程技術(shù)的芯片供應(yīng)iPhone 17系列產(chǎn)品;同時(shí),相同的技術(shù)還將廣泛應(yīng)用于Mac的M系列芯片制造。另外,臺(tái)積電正積極開發(fā)1.4nm制程技術(shù),預(yù)計(jì)將于2027年正式推出。因此,蘋果有望再一次成為臺(tái)積電1.4nm制程技術(shù)的首批使用者。

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