特斯拉轉(zhuǎn)向失效問題升級為工程分析，股價持續(xù)下跌
本周五，美國國家公路交通安全管理局（NHTSA）決定對特斯拉車輛動力轉(zhuǎn)向失效展開深入工程分析，這是即將可能實施產(chǎn)品召回前必要的步驟。
特斯拉股價在近期內(nèi)因多起故障事件跌幅超乎想象，短短一月間已經(jīng)下滑至25%，岡佳源本周五再次因事故檢修再度下跌3%以上。
事實上，NHTSA自去年7月即收到了2388宗抱怨，并對超過28萬輛特斯拉Model 3及Y車型的轉(zhuǎn)向操控失敗進行調(diào)查。
據(jù)悉，此次進階的工程研究包括33.4萬輛2023年版的Model 3及Y車型。經(jīng)過一項深入調(diào)查發(fā)現(xiàn)，自2016年以來，大批車主遇到過渡期過后懸掛與轉(zhuǎn)向部分功能實效的問題，特斯拉對此負有不可推卸的責任。去年特斯拉曾試圖以駕駛員操作失誤解釋此類設(shè)備缺陷，然而其內(nèi)部文件已經(jīng)揭示其了解這些問題遠在多年以前。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
特斯拉
+關(guān)注
關(guān)注
66文章
6413瀏覽量
131364 -
Model
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
343瀏覽量
26450
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
史上最佳Q4！AMD預(yù)估2026年Q1營收呈現(xiàn)季減, 股價應(yīng)聲下跌
2月3日，國際芯片大廠AMD發(fā)布截止公布了 2025 年第四季度及全年財務(wù)業(yè)績，在人工智能與數(shù)據(jù)中心強勁需要的帶動下，營收和凈利潤創(chuàng)新高，財報優(yōu)于華爾街預(yù)期。但是2026年第一季預(yù)期營收略有下降，股價應(yīng)聲下跌。
IC引腳失效模式和影響分析(FMEA)的重要性
本文旨在深入探討IC引腳失效模式和影響分析(FMEA)的重要性，并結(jié)合ADI公司的安全事項應(yīng)用筆記，說明FMEA在功能安全標準（如IEC 61508和ISO 13849）合規(guī)過程中的實踐意義。功能
哪些應(yīng)用環(huán)境最容易導(dǎo)致 ESD 管短路失效？——從失效機理到工程對策
一、ESD管“短路失效”并非偶然在實際項目中，F(xiàn)AE經(jīng)常遇到這樣的問題：ESD測試通過、產(chǎn)品初期正常，但現(xiàn)場使用一段時間后，ESD管直接短路，信號線被拉死。很多工程師第一反應(yīng)是“器件質(zhì)量問題”，但從
LED失效分析方法與應(yīng)用實踐
發(fā)光二極管（LED）作為現(xiàn)代照明和顯示技術(shù)的核心元件，其可靠性直接關(guān)系到最終產(chǎn)品的性能與壽命。與所有半導(dǎo)體器件相似，LED在早期使用階段可能出現(xiàn)失效現(xiàn)象，對這些失效案例進行科學(xué)分析，不僅能夠定位
熱發(fā)射顯微鏡下芯片失效分析案例：IGBT 模組在 55V 就暴露的問題！
分享一個在熱發(fā)射顯微鏡下（Thermal EMMI) 芯片失效分析案例，展示我們?nèi)绾瓮ㄟ^ IV測試 與 紅外熱點成像，快速鎖定 IGBT 模組的失效點。
IGBT短路失效分析
短路失效網(wǎng)上已經(jīng)有很多很詳細的解釋和分類了，但就具體工作中而言，我經(jīng)常遇到的失效情況主要還是發(fā)生在脈沖階段和關(guān)斷階段以及關(guān)斷完畢之后的，失效的模式主要為熱失效和動態(tài)雪崩
如何用FIB截面分析技術(shù)做失效分析？
在半導(dǎo)體器件研發(fā)與制造領(lǐng)域，失效分析已成為不可或缺的環(huán)節(jié)，F(xiàn)IB（聚焦離子束）截面分析，作為失效分析的利器，在微觀世界里大顯身手。它運用離子
怎么找出PCB光電元器件失效問題
限制，PCB在生產(chǎn)和應(yīng)用中常出現(xiàn)失效，引發(fā)質(zhì)量糾紛。為查明原因、解決問題并明確責任，失效分析成為必不可少的環(huán)節(jié)。失效
芯片失效步驟及其失效難題分析！
芯片失效分析的主要步驟芯片開封：去除IC封膠，同時保持芯片功能的完整無損，保持die，bondpads，bondwires乃至lead-frame不受損傷，為下一步芯片失效
LED芯片失效和封裝失效的原因分析
芯片失效和封裝失效的原因，并分析其背后的物理機制。金鑒實驗室是一家專注于LED產(chǎn)業(yè)的科研檢測機構(gòu)，致力于改善LED品質(zhì)，服務(wù)LED產(chǎn)業(yè)鏈中各個環(huán)節(jié)，使LED產(chǎn)業(yè)健康
電子元器件失效分析與典型案例（全彩版）
本資料共分兩篇,第一篇為基礎(chǔ)篇，主要介紹了電子元器件失效分析基本概念、程序、技術(shù)及儀器設(shè)備;第二篇為案例篇，主要介紹了九類元器件的失效特點、
發(fā)表于 04-10 17:43
HDI板激光盲孔底部開路失效原因分析
高密度互聯(lián)（HDI）板的激光盲孔技術(shù)是5G、AI芯片的關(guān)鍵工藝，但孔底開路失效卻讓無數(shù)工程師頭疼！SGS微電子實驗室憑借在失效分析領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗，總結(jié)了一些
封裝失效分析的流程、方法及設(shè)備
本文首先介紹了器件失效的定義、分類和失效機理的統(tǒng)計，然后詳細介紹了封裝失效分析的流程、方法及設(shè)備。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論