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英特爾與聯華電子聯手研發12nm半導體工藝平臺

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-01-29 14:39 ? 次閱讀
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英特爾與聯華電子達成戰略聯盟,共同研發供應12納米半導體工藝平臺,以滿足高速增長的移動、通信基建和網絡市場需求。這一長期協定結合了英特爾在美國的大規模制造實力和聯電在成熟節點的豐富代工經驗,旨在完善更廣范圍的工藝系列。同時也為全球顧客在采購抉擇時提供了更多選項,實現供應鏈的國際分布及彈性保障。

英特爾高層Stuart Pann指出,本次戰略合作彰顯了英特爾致力于通過技術和制造創新在全球半導體供應鏈中的地位,助力實現其至2030年成為全球最大代工廠的宏偉目標。

據悉,12納米節點將充分運用英特爾在美國的規?;a能力和FinFET晶體管設計專長,呈現出成熟先進、效能領先的特性。借助聯電長達數十載的工藝引領史以及提供工藝設計套件與設計協助的經驗積累,可以為客戶提供優質的鑄造服務。新工藝節點將會于英特爾位于亞利桑那州Ocotillo的12, 22及32座晶圓廠投入研發及生產。這些已有設備將有助于節省前期投資,提升資源使用效率。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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