碳化硅外延晶片領軍企業瀚天天成沖刺上交所IPO
瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司（以下簡稱“瀚天天成”）已順利獲得上交所科創板的IPO受理，此次IPO由中金公司擔任保薦機構。瀚天天成成立于2011年，是一家中美合資企業，專注于碳化硅外延晶片的研發、生產和銷售。目前，公司擁有月產能約4萬片的外延晶片生產線，且已實現批量供應。
瀚天天成的實際控制人是趙建輝先生，他不僅持有公司控股股權，還一直擔任公司的董事長。趙建輝先生的領導力和視野為瀚天天成的穩健發展提供了重要支持。
此次申請科創板上市，瀚天天成計劃公開發行股票不超過4315萬股，并計劃募集超過35億元的資金。這些資金將主要用于SiC外延晶片擴產項目和技術中心建設項目的投資。通過這些投資，瀚天天成將進一步提高其碳化硅外延晶片的產能和技術水平，以滿足市場不斷增長的需求。
作為國內碳化硅外延晶片領域的領軍企業，瀚天天成的IPO申請獲得受理無疑將引起市場的廣泛關注。此次成功上市將為其未來的發展提供強大的資金支持，推動公司在碳化硅外延晶片市場的發展中取得更大的突破和成就。同時，瀚天天成的成功上市也將進一步推動我國在寬禁帶半導體領域的技術創新和應用拓展。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
半導體
+關注
關注
339文章
30764瀏覽量
264376 -
碳化硅
+關注
關注
26文章
3469瀏覽量
52378 -
瀚天天成
+關注
關注
0文章
9瀏覽量
2365
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
200mm碳化硅襯底厚度與外延厚度的多維度影響
我們能將碳化硅 (SiC) 襯底厚度推進到多薄而不影響性能？這是我們幾十年來一直在追問的問題，同時我們也在不斷突破碳化硅 (SiC) 材料性能的極限——因為我們知道下一代碳化硅 (SiC) 器件技術正依賴于此。
高純熱壓碳化硅陶瓷外延基座的性能優勢與制造工藝解析
高純度熱壓燒結碳化硅陶瓷外延生長基座是半導體制造和先進電子產業中的關鍵部件，廣泛應用于金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）和分子束外延（MBE）等工藝中。該基座在高溫、腐蝕性及高真空環境下支撐襯底
12英寸碳化硅外延片突破！外延設備同步交付
電子發燒友網綜合報道 ， 短短兩天內，中國第三代半導體產業接連迎來重磅突破。12月23日，廈門瀚天天成宣布成功開發全球首款12英寸高質量碳化硅（SiC）外延
探索碳化硅如何改變能源系統
作者：Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業提高效率和推動脫碳的基石。碳化硅是高級電力系統的推動劑，可滿足全球對可再生能源、電動汽車 (EV
[新啟航]碳化硅 TTV 厚度測量技術的未來發展趨勢與創新方向
一、引言
碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導體材料的代表，在功率器件、射頻器件等領域發揮著關鍵作用。總厚度偏差（TTV）是衡量碳化硅襯底及外延片質量的重要指標，其精確測量對保障碳化硅器件性
![[新啟航]<b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度測量技術的未來發展趨勢與創新方向](https://file1.elecfans.com/web3/M00/20/D6/wKgZPGhd-raAI0RYAACIgEePWXY565.png)
【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數的關聯性研究
一、引言
碳化硅外延片作為功率半導體器件的核心材料，其總厚度偏差（TTV）是衡量產品質量的關鍵指標，直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響，其中生長工藝參數起著決定性
數據中心電源客戶已實現量產！三安光電碳化硅最新進展
16000片/月，配套產能即從襯底、外延、芯片制程，到封測的全流程產能。8英寸碳化硅襯底產能為1000片/月，外延產能2000片/月，目前8英寸碳化硅芯片產線已實現通線。 ? 其中6英
發表于 09-09 07:31
?2014次閱讀
從襯底到外延：碳化硅材料的層級躍遷與功能分化
碳化硅襯底和外延片是半導體產業鏈中的兩個關鍵組件，盡管兩者均由碳化硅材料構成，但在功能定位、制備工藝及應用場景等方面存在顯著差異。以下是具體分析：定義與基礎作用不同碳化硅襯底：作為整個
碳化硅在電機驅動中的應用
今天碳化硅器件已經在多種應用中取得商業的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲能系統、電動汽車充電器和電動汽車等領域的商業可行替代品。
碳化硅器件的應用優勢
碳化硅是第三代半導體典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優勢，在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結構穩定，哪怕是在超過300℃的高溫環境下，打破了傳統材料下器件的參數瓶頸，直接促進了新能源等
碳化硅晶圓特性及切割要點
01襯底碳化硅襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、碳化硅應用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學性
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE科銳）生產的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊，致力于高功率、高效化技術應用打造
發表于 06-25 09:13
國產SiC碳化硅功率半導體企業引領全球市場格局重構
SiC碳化硅MOSFET國產化替代浪潮：國產SiC碳化硅功率半導體企業引領全球市場格局重構 1 國產SiC碳化硅功率半導體企業的崛起與技術突
碳化硅功率器件有哪些特點
隨著全球對綠色能源和高效能電子設備的需求不斷增加，寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領域的應用不斷拓展，成為現代電子技術的重要組成部分。本文將詳細探討
為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現硅到碳化硅的過渡？
電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅
發表于 03-12 11:31
?1010次閱讀
工商網監
評論