用濕法腐蝕法從塊狀鍺襯底上制備亞10 um厚的鍺薄膜

低檢測密度的鍺薄膜對于研究缺陷密度對基于鍺的光學器件（光學探測器、LED和激光器）性能極限的影響至關重要。Ge減薄對Ge基多結太陽能電池也很重要。在本工作中，從蝕刻速率、表面形貌和表面粗糙度方面研究了使用三種酸性H，O溶液（HF、HCl和H，SO）的Ge濕法蝕刻。HCI-H，O，-H，0（1:1:5）被證明可以濕蝕刻535ym厚的體Ge襯底至4.1um，相應的RMS表面粗糙度為10nm，據我們所知，這是通過濕蝕刻方法從體Ge中獲得的最薄的Ge flm。

用過氧化氫電解蝕刻鍺基板

鍺的陽極電解蝕刻已經在過氧化氫蝕刻劑中在受控的外部條件下進行。相對于蝕刻劑組成和攪拌速率，測量并跟蹤原位電流和非原位蝕刻深度。發現蝕刻過程中形成的氣泡會導致蝕刻電流和表面質量的不均勻性。效果是

在特定的合成空間中最小化。定量分析顯示，鍺氧化過程中轉移的電子數量與去除的表面原子數量呈線性相關。2.77電子/原子的實驗結果與先前報道的硅的4電子/原子有顯著差異。

不同厚度硅襯底的 Cu 電鍍 GaN_AlGaN 高電子遷移率晶體管的熱性能

散熱是功率器件的一個重要問題。在這項工作中，考慮了熱效應對銅電鍍GaN基高電子遷移率晶體管（HEMT）性能的影響。使用電學、測溫和微拉曼表征技術來關聯具有不同厚度的Si襯底（50100150μm）的GaN HEMT的改進的散熱對器件性能的影響，包括和不包括額外的電鍍Cu層。與裸露的Si襯底相比，電鍍Cu on Si（≤50μm）上的GaN HEMT的開/關電流比提高了約400倍（從9.61×105到4.03×108）。特別重要的是，表面溫度測量顯示，與沒有電鍍Cu樣品的HEMT器件相比，具有電鍍銅樣品的較薄HEMT器件的溝道溫度要低得多。

全文請聯系作者

關鍵詞：鍺薄膜，塊狀鍺，濕法刻蝕鍺，刻蝕鍺，電解刻蝕，過氧化氫，高電子遷移率晶體管，GaN_AlGaN，Cu 電鍍、氮化鎵、HEMT、電鍍銅、拉曼測溫法，硅襯底

審核編輯 黃宇