據悉，近期臺積電旗下在中國臺灣的重要供應鏈合作伙伴透露，公司即將采用GAA（全柵極環繞）技術來生產2nm制程節點產品。其中，位于新竹科學園區的寶山P1晶圓廠有望最早于今年4月份啟動設備安裝工作，而P2及高雄兩地的工廠則計劃在2025年開始制造采用此項技術的2nm芯片。

得益于2nm制程項目的順利推進，寶山、高雄新晶圓廠的建造工程正有序進行。臺中科學園區已初步確定了A14與A10生產線的布局，具體是否增設2nm制程工藝將根據市場需求再定。

對于臺中晶圓廠的二期項目，臺積電尚在評估潛在客戶需求，并擬在2027年前做出決定：于該廠房采用2nm或是A14工藝節點。2nm技術的成功落地，不僅為ASML、應用材料等供應商帶來商業契機，同時也為眾多中國臺灣供應商創造了新的發展空間。

另外，臺積電自2023年第三季度以來，其3nm工藝節點的營收比例已升至約6％。至今，其每月3nm產能已逐步攀升至10萬片，且預計明年將對公司整體收入形成更大貢獻。其中，N3E作為更具性能優勢的3nm節點產品已于2023年第四季度啟動量產，同時具備N3P、N3X工藝的產品系列亦能滿足多樣化的客戶需求。

據預測，臺積電的2nm技術有望于2025年實現量產。盡管臺積電暫未披露相關設備采購計劃，但無疑最新型的EUV光刻機是達成2nm制程的必要條件。值得關注的是，英特爾已率先入手ASML的首臺High-NA EUV光刻機，每臺售價高達4億歐元。