2023 年 12 月 14 日，行家說碳化硅&氮化鎵產業高峰論壇，暨 2023 行家極光獎頒獎典禮（2023 Hangjia Aurora Award）頒獎晚宴在深圳順利舉辦，集結了數百家 SiC、GaN 企業代表來共同見證第三代半導體的蓬勃發展。Nexperia（安世半導體）榮獲權威認證，將「SiC年度優秀產品獎」與「中國GaN 功率器件十強」兩項大獎收入囊中，展現了其作為基礎半導體全球領導者的強大實力與深耕三代半領域的決心。

在碳中和背景下，以 SiC 和 GaN 為代表的第三代半導體技術正在幫助新能源產業降本增效，汽車、光伏、儲能、充電樁、軌道交通正在加速擁抱和導入第三代半導體。2023 行家極光獎設置了 “十強企業”“年度優秀產品獎”等獎項，以表彰在本年度具有行業表率的優秀企業、引領產業變革的創新技術和優秀產品。

安世半導體一直投資和研發自有氮化鎵工藝技術。目前遍布全球的自有化生產基地可以提供真正車規級 AEC-Q101 認證的產品。新一代的安世半導體氮化鎵（HEMTs），提供業界領先的低導通電阻，更高的開關穩定性，可顯著提升動態性能。2023 年 5 月，安世半導體又在其級聯型氮化鎵產品系列上增加了七款新型 E-mode 器件，成為業內唯一可同時提供級聯型和增強型氮化鎵器件的供應商。

此外，安世半導體還在 2023 年先后推出了真 2 引腳(R2P) TO-220-2 通孔電源塑料封裝的 650 V 碳化硅二極管與采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 碳化硅 MOSFET，擁有更高的穩健性和效率，有助于加速全球能源轉型。

獲獎產品

PSC1065K 碳化硅肖特基二極管結合了寬禁帶半導體材料（碳化硅）的優點和 MPS 器件結構及其“薄型SiC”技術帶來的額外優勢。憑借其在工藝開發和器件制造方面的專業知識，安世半導體能夠進一步提高這款新產品的性能，使其在當今 SiC 二極管市場中始終保持領先地位。

PSC1065K 具備不受溫度影響的電容開關和零恢復性能，提供先進的性能以及出色的品質因數(QC x VF)。其突出的開關性能幾乎不受電流和開關速度變化的影響。

合并 PIN 肖特基(MPS)二極管通過在制造過程中降低芯片厚度而進一步提高其性能，并具備其他優勢，例如出色的浪涌電流耐受能力，從而無需額外的保護電路。這些特性可顯著降低系統復雜性，使硬件設計人員能夠在耐用型高功率應用中，以更小的外形尺寸實現更高的效率。

例如，相比僅使用硅基解決方案的數據中心，配備采用安世半導體 PSC1065K SiC 肖特基二極管設計電源的數據中心將更加符合嚴格的能源效率標準。

Nexperia (安世半導體)

Nexperia（安世半導體）總部位于荷蘭，是一家在歐洲擁有豐富悠久發展歷史的全球性半導體公司，目前在歐洲、亞洲和美國共有15,000多名員工。作為基礎半導體器件開發和生產的領跑者，Nexperia（安世半導體）的器件被廣泛應用于汽車、工業、移動和消費多個應用領域，幾乎為世界上所有電子設計的基本功能提供支持。

Nexperia（安世半導體）為全球客戶提供服務，每年的產品出貨量超過1,000億件。這些產品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面成為行業基準，獲得廣泛認可。Nexperia（安世半導體）擁有豐富的IP產品組合和持續擴充的產品范圍，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標準認證，充分體現了公司對于創新、高效、可持續發展和滿足行業嚴苛要求的堅定承諾。

Nexperia：效率致勝。

審核編輯：湯梓紅