今天想來簡單聊一聊DPT技術-double pattern technology，也就是雙層掩模版技術，在目前先進工藝下，這項技術已經應用的很普遍了。

我們知道，在光刻的時候，需要制造出芯片各個層的掩模版mask。就像刻印章一樣，掩模版上留下金屬走線的路徑，把掩模版蓋在wafer上后，光照下來就只能照在wafer沒有被蓋住的空的地方，mask蓋住的地方沒有收到照射。用這種方法就相應能刻蝕出各個層的金屬走線了。

這只是我一個大致的理解，具體的工藝流程肯定還要復雜的多，這里只是想快速回顧一下mask的作用。

那么，什么是DPT呢？顧名思義，它就是說同一層金屬會設置兩個掩模版，mask1和mask2，在光刻的時候，兩個掩模版輪番上陣，每一個掩模版只有大概一半的金屬走線信息。

為什么要這樣做呢？因為在先進工藝節點下，光刻的分辨率也是有一定極限的，比如互相平行的兩段金屬線，他們之間的間距必須大于10納米才可以被刻出來，但是我們在其他刻蝕步驟時可以支持到比如3納米，如果全部都按照10納米的間距來制造，就會有一定的面積被浪費掉。

因此人們想了個辦法，我們可以同時制作兩個mask，兩個mask互相偏移5nm，而每個mask還是按10nm的規則來做。

這樣的話，我們就可以在第0nm、第10nm、第20nm的位置用mask1來刻金屬線，而在第5nm、第15nm、第25nm的位置用mask2來刻金屬線。

這樣子，最終的結果就是我們可以得到間距最小為5nm的金屬層，比只用一個mask足足省下了一半的面積，這就能省下更多成本。

但是，我們不會對每一層都使用DPT技術，一般只會針對M1或M2來用。首先出于經濟的考量，多制作一層mask也是有成本的，這種技術一般都要用在刀刃上。越底層的金屬width、pitch越小，單就繞線資源來說是比頂層豐富的。

其次，對于高層金屬可能也不適合用DPT，應為它本身線寬可能會很大，pitch卻并沒有成比例變大，還要考慮一些線會上NDR，在線很寬，pitch相對窄的情況下就沒有條件使用DPT。

對于我們后端來說，應用DPT時，最重要的是要注意net和via的mask屬性。

首先要注意使用DPT的層確實上了mask，一般就看一段shape是不是mask1或者mask2，如果沒有mask，可能在寫出GDS的時候就不會寫這一段shape。

其次要注意最相鄰的兩段shape不能是同一種mask。不過一般來說，只要tool設置正確，這些mask的設置tool都會幫我們自動完成。只是有的時候PV會出問題，回過頭可能要看看是不是DPT沒有上好。