根據業界消息，三星推出的3納米GAA制程技術已經有一年多的時間了，但晶圓良率仍然不理想。因此，高通決定在下一代處理器Snapdragon 8 Gen4中取消與三星的雙代工策略，改由臺積電獨家代工。預計高通、英偉達等客戶將爭相采用這一制程，而臺積電預計明年下半年的3納米家族（包括N3E）月產能有望達到10萬片。

三星去年6月底開始量產第一代3納米GAA（SF3E）制程，這是三星首次采用全新的GAA架構晶體管技術。第二代3納米制程3GAP（SF3）將采用第二代MBCFET架構，在第一代3納米SF3E的基礎上進行進一步優化，預計將于2024年開始量產。

據爆料人Revegnus透露，高通的Snapdragon 8 Gen 4處理器將采用臺積電的3納米（N3E）制程，并供應給三星的Galaxy系列智能手機使用。另外，由于臺積電的3納米產能受到限制，高通不得不轉而尋找三星代工芯片。

因此，高通原本計劃在2024年同時將訂單交給臺積電和三星，成為3GAP制程的首個客戶。然而，考慮到三星明年3納米產能計劃相對保守，以及晶圓良率不穩定的情況，高通決定取消計劃，并將雙代工策略推遲至2025年再考慮。

目前，臺積電的3納米制程技術產能已經開始提升，預計到2024年底，月產能將達到十萬片的規模，營收占比也將從目前的5%上升至10%。

由于3納米制程需求旺盛，被視為繼5納米制程之后的新一代先進制程，臺積電為了應對持續涌入的客戶訂單，在去年底宣布擴大3納米制程的產能。預計新的產能將在明年開始量產，為臺積電的業務增長提供動力。

審核編輯：黃飛