長鑫存儲技術有限公司申請“延遲電路及半導體存儲器技術”專利的公告日為11月7日，申請公告號為cn117012238a。

據專利摘要本公開涉及一種延遲電路及半導體存儲器，所述延遲電路包括溫度控制模塊補償及延時模塊、溫度補償控制模塊根據接收到的控制信號初期，實時環境溫度，溫度系數補償信號及溫度系數，以便生成信號控制目標溫度控制信號，給予補償。延遲模塊連接所述溫度補償控制模塊，使用接收控制信號的所述目標根據溫度補償和初期演技經過信號生成溫度補償后目標，能夠根據溫度傳感器信號采集的實時環境溫度對信號的電路生成的目標信號的延遲延時動態補償因溫度變化而實際上生成的避免目標延遲信號延遲時間與所需目標延遲信號延遲時間差異較大的情況，提高信號傳輸的穩定性和準確度，提高集成電路的性能和可靠性。