由 AspenCore 主辦的 2023 國際集成電路展覽會暨研討會（IIC）已于 11 月 2 日在深圳順利舉辦。

在大會同期舉辦的 2023 全球電子成就獎（World Electronics Achievement Awards, WEAA）評選中，Nexperia（安世半導體）的 SMD 銅夾片 LFPAK88 封裝的熱插拔專用 MOSFET (ASFET)榮膺年度功率半導體產品獎（Power Semiconductor / Driver of the year）！安世半導體中國區工業及消費市場業務高級總監李東岳受邀出席并領獎。

獎項介紹

全球電子成就獎（World Electronics Achievement Awards）旨在評選并表彰對推動全球電子產業創新做出杰出貢獻的企業和管理者，對獲獎公司以及個人來說，全球電子成就獎的獲得是一項崇高的榮譽，各類獎項獲得提名的企業、管理者及產品均為行業領先者，充分體現了其在業界的領先地位與不凡表現。

獲獎產品

安世半導體于 2023 年 3 月推出了全新專用 MOSFET（ASFET）系列，專為熱插拔應用而設計，該系列產品采用緊湊型 8x8 mm LFPAK88封裝，且具有增強安全工作區（SOA）的特性。這些 ASFET 提供 80 V 和 100 V 兩種型號，兼顧低RDS(on)和強大線性模式性能，非常適合進的電信和計算設備中要求苛刻的熱插拔和軟啟動應用。

與前幾代產品相比，Nexperia（安世半導體）的 ASFET 具有增強的 SOA，數據手冊中提供了經過全面測試的高溫下 SOA 曲線，以及節省空間的尺寸，為熱插拔和計算應用提供了優化的解決方案，提供了業界領先的功率密度改進。

到目前為止，適合熱插拔和計算應用的 ASFET 通常采用較大尺寸的D2PAK封裝（16x10 mm）。LFPAK88 封裝是 D2PAK 封裝的理想替代選項，空間節省效率高達 60%。

PSMN2R3-100SSE 的 RDS(on)僅為 2.3 mΩ，相較于現有器件至少降低了 40%。LFPAK88 不僅將功率密度提高了 58 倍，還提供兩倍的 ID(max)額定電流以及超低熱阻和電阻。

Nexperia（安世半導體）還提供采用 5x6 mm LFPAK56E 封裝的 25 V、30 V、80 V和100 V ASFET 系列產品，并針對需要更小 PCB 管腳尺寸的低功耗應用進行了優化。

審核編輯：劉清