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攻克汽車熱管理挑戰,安森美Top Cool MOSFET榮獲“金輯獎2023中國汽車新供應鏈百強”

安森美 ? 來源:未知 ? 2023-10-24 10:25 ? 次閱讀
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祝賀!安森美(onsemi)Top Cool MOSFET榮獲蓋世2023金輯獎·中國汽車新供應鏈百強“熱管理領域”先進技術獎

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“金輯獎”由蓋世發起,旨在“發現好公司·推廣好技術·成就汽車人”,2023第五屆金輯獎圍繞著“中國汽車新供應鏈百強”這個主題進行展開,重點聚焦在智能駕駛、智能座艙、軟件、芯片、人工智能、動力總成電氣化、智能底盤、車身及內外飾、低碳新材、熱管理領域,進行優秀企業發掘和先進技術解決方案的評選,向行業內外展示和報道這些優秀的創新科技企業和行業領軍人物,共同推動行業的發展和進步。

巧封裝大功效

在功率應用中,MOSFET往往是表面貼裝器件 (SMD),如SO8FL、u8FL和LFPAK封裝類型。SMD成為首選技術的原因在于它具備良好的功率能力,能夠方便地自動放置和焊接,并且支持實現緊湊的方案。然而,SMD器件的散熱并不理想,因為其熱傳播路徑通常要通過印刷電路板PCB在常規元件中,引線框架(包括裸露漏極焊盤)直接焊接到PCB上的覆銅區,從而提供從芯片到PCB的電連接和熱路徑。這是與PCB的唯一直接電熱連接,因為器件的其余部分被封閉在模塑中,僅通過對流散熱到周圍空氣中。

采用這種方法時,器件的熱傳遞效率嚴重依賴于PCB的特性,如覆銅的面積大小、層數、厚度和布局。無論電路板是否連接到散熱器,都是如此。由于熱路徑受限,并且PCB的低熱導率妨礙散熱,因此器件的最大功率能力受到限制。

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常規散熱方法,熱量需要通過 PCB 傳輸到散熱器

為了解決這個問題,安森美開發了一種新的MOSFET封裝,讓引線框架(漏極)在封裝的頂部暴露出來。這種方法對應用布局/空間和熱傳遞都有好處——采用傳統方法對功率MOSFET進行散熱,雖然能實現相當緊湊小巧的方案,但出于散熱考慮,PCB的下側不能放置其他元器件。這種方法一般需要較大的PCB來容納所有必要的元件。頂部散熱器件的熱路徑向上,因此散熱器被放置在MOSFET上方,允許在下側布置功率器件、柵極驅動器和其他元件,從而可以使用較小的PCB。這種更緊湊的布局還使得柵極驅動走線可以更短,這對于高頻工作是個優勢。此外,由于不再要求熱量通過PCB,因此PCB本身將保持較低溫度水平,MOSFET周圍的元件將在較低溫度下工作,這有利于提高其可靠性。

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頂部散熱器件將散熱器置于上方以改善布局和熱性能

新設計的可靠性更高從而增加整個系統的使用壽命。這些器件提供高功率應用所需的電氣效率,RDS(ON)值低至1mΩ,而且柵極電荷(Qg)低(65nC),從而降低高速開關應用中的損耗。

熱管理有訣竅

冷卻是高功率設計的最大挑戰之一,成功解決這個問題對于減小尺寸和重量至關重要,這在現代汽車設計中也是關鍵的考慮因素。隨著汽車內電子器件越來越多,尤其是當車內許多部件需要處于高功率運作時,汽車行業不斷尋求改善散熱的方法。對系統設計人員來說,能效越高,產生的廢熱越少。從熱管理的角度來看,這意味著可以減少散熱器或完全無需散熱器,從而削減方案的尺寸、重量和成本。

與傳統的表面貼裝MOSFET不同,Top Cool封裝將散熱焊盤移至頂部,允許將散熱器直接連接到器件的引線框架。由于金屬具有高熱導率,因此散熱器材料通常是金屬。例如大多數散熱器是鋁制的,其熱導率在100-210W/mk之間。與通過 PCB 散熱的常規方式相比,這種通過高熱導率材料散熱的方式大大降低了熱阻。熱導率和材料尺寸是決定熱阻的關鍵因素,熱阻越低,熱響應越好。

Top Cool封裝改善了MOSFET的散熱,從而提高汽車等關鍵應用的功率密度。因此,安森美Top Cool MOSFET不僅表現出卓越的電氣效率,而且消除了PCB中的熱路徑,從而顯著簡化設計,減小尺寸并降低成本。該系列TCPAK57封裝產品組合包括40V、60V和80V,這所有器件都能在175°C的結溫(Tj)下工作,并符合AEC-Q101車規認證和生產件批準程序(PPAP)。再加上其鷗翼式封裝,支持焊點檢查和實現卓越的系統級可靠性,非常適合于要求嚴苛的汽車應用。

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不容錯過的汽車熱管理tips01詳解MOSFET頂部散熱封裝02高功率降壓轉換的散熱評估測試原理

點個星標,茫茫人海也能一眼看到我

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