近日， EEPW 《電子產品世界》值創辦30周年之際，頒布了“影響中國電子30年時代之光評選”獲獎名單。安世半導體憑碳化硅肖特基二極管Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode斬獲了「十大劃時代半導體產品獎功率器件類」，展現了其作為基礎半導體領域全球領導者的創新能力與強大實力。

“十大劃時代半導體產品獎”是 EEPW 舉辦的“影響中國電子產業30年時代之光”系列評選活動之一，旨在重點回顧過去三十年間中國電子信息產業具有劃時代意義的產品。安世半導體的該獲獎器件采用合并 PIN（MPS）技術，可應對高電壓和高電流應用帶來的挑戰，包括開關模式電源、AC-DC 和 DC-DC 轉換器、電池充電基礎設施、不間斷電源和光伏逆變器，并提高持續運行性能。

產品優勢

PSC1065K 碳化硅肖特基二極管結合了寬禁帶半導體材料（碳化硅）的優點和 MPS 器件結構及其“薄型 SiC ”技術帶來的額外優勢，具備不受溫度影響的電容開關和零恢復性能，提供先進的性能以及出色的品質因數（QC x VF)。其突出的開關性能幾乎不受電流和開關速度變化的影響。

合并PIN肖特基（MPS）二極管通過在制造過程中降低芯片厚度而進一步提高其性能，并具備其他優勢，例如出色的浪涌電流耐受能力，從而無需額外的保護電路。這些特性可顯著降低系統復雜性，使硬件設計人員能夠在耐用型高功率應用中，以更小的外形尺寸實現更高的效率。

這款 SiC 肖特基二極管采用真2引腳（R2P） TO - 220-2通孔電源塑料封裝。其他封裝選項包括表面貼裝（DPAK R2P and D2PAK R2P）和采用真2引腳配置的通孔（TO-247-2）封裝，可在高達175 °C 的高壓應用中增強可靠性。

Nexperia（安世半導體）計劃不斷增加其 SiC 二極管產品組合，包括工作電壓為650 V 和1200 V、電流范圍為6-20 A 的和車規級器件。

審核編輯：劉清