国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

領先產品+創新理念,東芝半導體挑戰功率器件性能極限

Felix分析 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:吳子鵬 ? 2023-09-12 00:25 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

電子發燒友網報道(文/吳子鵬)要問當前電子信息產業哪些領域最火熱?相信很多人會談到汽車、新能源和儲能等,這些都是和能源息息相關的,是功率器件重要的應用市場,也是PCIM Asia 2023(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)上,參展商重點關注的領域。

為了幫助上述行業更好地發展,東芝半導體在PCIM Asia 2023上不僅展出了具有市場競爭力的功率器件和模塊,同時也將一些創新理念帶入市場,幫助行業更好地發展。

新型雙柵極RC-IEGT結構

PCIM Asia 2023上,東芝半導體介紹了該公司最新推出的全球首款4.5kV雙柵極RC-IEGT。如下圖所示,雙柵極RC-IEGT的空穴控制柵極(CG)與主柵極(MG)分離。在IEGT模式下,電流從基板的背面流向正面,CG關斷之后MG關斷,減少基板中累積的空穴,降低關斷損耗;在二極管模式下,電流從基板正面流向背面,MG和CG在反向恢復之前同時導通,減少了基板中累積的電子,減少了反向恢復損耗。

wKgZomT-66qAZUizAAKKvqGHeX8974.png

雙柵極RC-IEGT導通關斷時的總功耗(開關損耗)比傳統單柵極結構降低24%,關斷和導通損耗分別比傳統單柵極結構降低24%和18%,反向恢復損耗降低32%。


wKgZomT-67GAQDSmAAK8M_fbBAI008.png

東芝半導體工程部-分立器件技術部1-副總監屈興國表示,雙柵極RC-IEGT是東芝半導體在IEGT技術發展上一次非常有價值的創新嘗試,有望突破Si器件的極限,進一步增強這一類別產品的性能和功耗水平。

當然,他也坦言道:“目前雙柵極RC-IEGT還處于實驗室研發的階段,距離投向市場還有很長的路要走。”

最新6.5kV的PPI壓接式封裝器件

隨著高壓大功率IGBT(東芝半導體稱為IEGT)產品的快速發展,4.5 kV和6.5 kV電壓等級器件已經逐步實現市場化,在牽引運輸、電力系統等領域發揮著重要價值。在這些應用中,壓接式結構具有穩定可靠的優勢,能夠長時間為大功率應用提供高性能輸出。

為滿足高電壓的市場需求,PCIM Asia 2023上東芝半導體展出了最新的6.5kV的PPI壓接式封裝器件。器件內部采用電流、電壓均等分布的排列方式,裝有多個IEGT芯片。器件內部通過無引線鍵合的方式提高了器件的可靠性,可雙面散熱壓接特性可實現更高的散熱特性。

wKgZomT-68CALmU0AACKCyVbg18916.jpg

屈興國指出,東芝半導體是壓接式封裝技術發展的引領者之一,在這類產品的應用上有非常具有代表性的成功案例,因此在一些新能源發電應用中非常有競爭力。壓接式封裝可以像紐扣電池一樣,多顆串聯在一起,如果是傳統的模塊通過銅排串聯,穩定性和可靠性非常低。陶瓷外殼也增強了器件的防爆屬性。

在此,他特別提到了東芝半導體PPI壓接式封裝器件的短路失效模式,器件在失效之后會呈現短路模式,那么在多顆串聯使用時,某一顆器件的失效并不會影響整個系統繼續工作。這是一種性能冗余,對于海底能源項目等特殊項目,系統投運后基本不會考慮后期的維修,那么通過“N+1”的部署方式就可以保證系統長期穩定運行。在國內柔性輸配電等項目中,這一產品特性也非常重要。

另外,他介紹說,為了幫助新用戶更好地了解壓接式封裝產品,東芝半導體與第三方合作伙伴共同開發的IEGT壓接組件采用了2顆ST2000GXH32(4.5KV/2KA/內置二極管的壓接式封裝)PPI器件,適用于新客戶進行雙脈沖測試,以便快速了解東芝半導體器件,縮短開發周期。

wKgaomT-68qAP_JyAABwSLIOJKI606.jpg
低功耗、易設計的SiC MOSFET

受益于新能源汽車、光伏儲能等領域的快速發展,SiC(碳化硅)器件得到了廣泛的應用,市場規模快速提升。根據Yole統計,到2027年,全球導電型SiC功率器件市場規模有望突破60億美元,年復合增長速率約34%。

PCIM Asia 2023上,SiC器件和模塊也是廠商展示的重點。在這方面,東芝半導體展示了采用SBD內置技術,而非本體二極管的SiC MOSFET,具備更低的VF 和出色的開關性能以及寬VGS 控制范圍,可廣泛應用于光儲充行業、數據中心、高效小型化電源和馬達等領域。


wKgaomT-69iANIHVAAHVSVwdvHY821.png
從第二代產品到第三代產品,東芝的SiC MOSFET實現了更低的Ron*Qgd,減少了80%,這是實現更好開關性能的關鍵。

屈興國表示,SBD相較于本體二極管具有更強的通流能力,導通電壓更低,常規SiC MOSFET的導通電壓在3-5V,東芝半導體SiC MOSFET的導通電壓為1.3V-1.5V。這樣的設計也克服了傳統SiC MOSFET的雙極退化缺陷,本體二極管一旦有電流流過,會影響MOSFET正常工作。

在SiC模塊方面,他指出,東芝半導體除了供應主流的1200V、1700V和3300V的SiC模塊以外,為了滿足光伏客戶在1500V母線電壓級別的需求,還開發了2200V的SiC模塊,將會在今年年底前量產交付。

結語

在本次PCIM Asia 2023上,東芝半導體再一次從產品性能、可靠性以及產品創新層面展示了自己在功率器件領域的技術實力。這些產品讓東芝半導體在可再生能源、柔性輸配電、光伏儲能、牽引逆變器等領域,能夠贏得更多的用戶認可。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 功率器件
    +關注

    關注

    43

    文章

    2120

    瀏覽量

    95121
  • 東芝半導體
    +關注

    關注

    1

    文章

    109

    瀏覽量

    15138
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    威兆半導體遞表港交所,WLCSP技術引領功率半導體新發展

    電子發燒友網綜合報道 近期,威兆半導體首次向港交所遞交招股書,廣發證券為獨家保薦人。威兆半導體是中國領先功率半導體
    的頭像 發表于 03-02 02:32 ?3412次閱讀

    「聚焦半導體分立器件綜合測試系統」“測什么?為什么測!用在哪?”「深度解讀」

    隨著科技發展,高端設備應用與半導體器件發展密不可分,其應用場景與穩定性直接決定產品性能半導體分立器件綜合測試系統是
    發表于 01-29 16:20

    功率器件廠商東海半導體榮獲“國家專精特新企業”認定

    近日,東海半導體正式榮獲“國家專精特新企業”稱號。這一認定,不僅是國家對我們在半導體功率器件研發與設計領域深耕細作的高度肯定,更是對東海技術“以創新
    的頭像 發表于 10-28 09:47 ?544次閱讀

    BW-4022A半導體分立器件綜合測試平臺---精準洞察,卓越測量

    差異,都能精準捕捉,不放過任何一個可能影響器件性能的瑕疵,精準評估器件在靜態測試條件下的性能表現,確保每一個半導體
    發表于 10-10 10:35

    安世半導體特色產品提升電力應用性能

    安世半導體半導體行業的領先企業,提供離散元件、功率元件和邏輯集成電路,在質量和可靠性方面享有盛譽。安世半導體矢志
    的頭像 發表于 09-24 10:08 ?2621次閱讀

    上海貝嶺IGBT與MOSFET高效能功率器件產品介紹

    在工業自動化、新能源應用和高效電源系統蓬勃發展的今天,對功率半導體器件性能、效率和可靠性提出了前所未有的高要求。上海貝嶺作為國內領先的模擬
    的頭像 發表于 09-16 14:56 ?1877次閱讀
    上海貝嶺IGBT與MOSFET高效能<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>產品</b>介紹

    瑞能半導體榮獲2025年度硬核功率器件

    今天下午,“第七屆硬核芯生態大會暨頒獎典禮”在深圳國際會展中心(寶安新館)盛大舉行。瑞能半導體憑借其在功率半導體領域的技術突破與市場表現,成功摘得“2025年度硬核功率
    的頭像 發表于 09-11 17:42 ?993次閱讀

    基本半導體東芝達成戰略合作

    日前,深圳基本半導體股份有限公司(以下簡稱“基本半導體”)與東芝電子元件及存儲裝置株式會社(以下簡稱“東芝電子元件”)正式簽署戰略合作協議。通過將雙方擁有的先進碳化硅及IGBT芯片技術
    的頭像 發表于 08-30 16:33 ?1987次閱讀

    RIGOL功率半導體動態性能測試解決方案

    功率變換器是電能利用的重要裝置,其性能主要取決于其核心—功率半導體器件,常見類型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統 Si
    的頭像 發表于 07-29 11:15 ?2381次閱讀
    RIGOL<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b>動態<b class='flag-5'>性能</b>測試解決方案

    功率半導體器件——理論及應用

    本書較全面地講述了現有各類重要功率半導體器件的結構、基本原理、設計原則和應用特性,有機地將功率器件的設計、
    發表于 07-11 14:49

    從清華大學到鎵未來科技,張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守!

    從清華大學到鎵未來科技,張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守!近年來,珠海市鎵未來科技有限公司(以下簡稱“鎵未來”)在第三代半導體行業異軍突起,憑借
    發表于 05-19 10:16

    半導體器件中微量摻雜元素的EDS表征

    微量摻雜元素在半導體器件的發展中起著至關重要的作用,可以精準調控半導體的電學、光學性能。對器件中微量摻雜元素的準確表征和分析是深入理解
    的頭像 發表于 04-25 14:29 ?2029次閱讀
    <b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>器件</b>中微量摻雜元素的EDS表征

    瑞能半導體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展

    日前,瑞能半導體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展(Electronica China 2025),全方位展示了在碳化硅、IGBT、MOSFET等領域的最新突破成
    的頭像 發表于 04-17 19:38 ?1100次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導體</b>攜多款高<b class='flag-5'>性能</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展

    東芝功率半導體后道生產新廠房竣工

    東芝電子元件及存儲裝置株式會社(東芝)近日在其位于日本西部兵庫縣姬路半導體工廠的車載功率半導體后道生產新廠房舉辦了竣工慶祝儀式。新廠房的產能
    的頭像 發表于 03-13 18:08 ?1508次閱讀

    砥礪創新 芯耀未來——武漢芯源半導體榮膺21ic電子網2024年度“創新驅動獎”

    對武漢芯源半導體創新能力的權威肯定。然而,我們深知榮譽只代表過去,未來的征程依然任重道遠。在半導體技術飛速發展的今天,我們將面臨更多的挑戰與機遇。 武漢芯源
    發表于 03-13 14:21