隨著華為mate60 pro的發布，歐美加大制裁的聲浪又開始喧囂，這些噪音，從5G哥的角度看來，只會加速國內半導體技術的突飛猛進。

今天5G哥就與大家聊聊中國***的一些關鍵突破。

中國的技術底蘊日益顯現，特別是在核心技術領域，中國已經取得了一些重要突破。值得關注的是，這些突破是建立在國內研究和創新的基礎上的。

早在2015年，中國的長春光機所就成功研發出了EUV（極紫外光刻）***的高精度弧形反射鏡系統。這個系統的多層層鍍膜面形誤差小于0.1納米，達到了EUV級***的標準。這個成就在國際上已經堪稱頂尖水平。

然而，這套系統中存在一個小問題，即并非所有零部件都是國產的，其中的鍍膜裝置需要從海外購買。這一情況導致了系統的關鍵部分依賴進口，容易受到外部制裁的影響。

為了解決這一難題，中科院控股企業北京中科科美在2021年7月成功研發出了鍍膜精度控制在0.1納米以內的直線式勞埃透鏡鍍膜裝置以及納米聚焦鏡鍍膜裝置。這些零部件滿足了長春光機所對于高精度弧形反射鏡系統的技術要求。

隨后，這些新的鍍膜裝置被供應給了長春光機所，使其能夠立刻制造出EUV級***級別的高精度弧形反射鏡系統。這個成功案例表明，中國在EUV***領域已經具備了自主研發和生產的能力，增強了對EUV***的信心。

EUV***技術本質上是一個工程問題，理論上并不存在困難。在中國，人才、需求、技術基礎和產業基礎都具備，唯一需要的是時間和投入。這正是中國的優勢所在。

目前，國內有三條主要的EUV***研發路線，它們采取飽和式研發，不計成本：

正統路線：這是ASML的EUV***路線，由華為、上海光機所和宇量昇等國內公司合作。他們采用了500瓦LPP（液體靶點光源）光源和復雜的鏡頭組。這條路線的進展速度最快，但技術復雜度也最高，特別是在超高功率和超高重復頻率二氧化碳激光器方面的技術難度非常大。

改進型路線：由廣東智能機器研究院和華中科技大學合作，嘗試采用分時高功率光纖激光器射擊液態錫靶的方式，繞開了超高功率、超高重復頻率二氧化碳激光器的技術路線。雖然成功與否尚不確定。

顛覆式路線：清華大學主導的1千瓦級SSMB-EUV光源，可以直接將***光源變成類似工業園中的電力、蒸汽、純水等可購買原料。如果這條技術路線成功，將極大簡化***光路，降低成本，使EUV***變得更加經濟實惠。這條路線的成功有望成為中國***技術趕超ASML的關鍵。

從2020年10月國內啟動加大投入加速研發以來，***研發取得了令人矚目的進展。第一條技術路線的EUV***預計將比最初預期的時間更快投入量產。第三條技術路線被認為是未來第2代和第3代EUV***的優勢路線，為中國制造3納米芯片奠定了基礎。

中國在EUV***技術領域的持續投入和創新正在逐漸實現突破，有望在未來幾年內成為全球領先的EUV***制造國。這一成就將有望為中國半導體產業的發展和全球芯片市場的供應帶來顯著影響。

歐美等國也將面臨來自中國產業鏈的競爭挑戰，中國有望在半導體領域嶄露頭角，繼續推動技術進步和創新。

聰明的企業，例如ASML，前面傳言連14nm的***都要不賣給中國了，最近，他們趕緊辟謠，稱合同將如約執行。

對嘛，能賺錢趕緊先賺了，現在我們對中低端半導體的制造仍然需求大量***，你們愿意賣我們買沒問題。

要等中國突破和量產，就不需要了！你們自己留著吧。