憑借耐高壓、耐高溫和高頻等優越的物理特性，SiC-MOSFET有望在新能源汽車800V高壓超充時代替代Si IGBT，并在主驅逆變器、充電樁、OBC、DC-DC等應用場景中加速滲透。

隨著政策和技術發展的推動，電動汽車已經越來越受到消費者的青睞。據乘聯會數據，純電動車型和插混車型8月份的銷量分別為14.56萬輛和12.85萬輛。不過還有一些消費者對電動汽車目前依然存在的充電速度慢和行駛里程短等問題抱有疑慮。

可見，續航能力問題已是電動汽車能否廣泛推向市場的重要因素。其實目前已經有不少成熟的技術能夠解決，800V高壓超充技術就是其中較為不錯的解決方案。

從半導體器件的角度來看，SiC-MOSFET有望在新能源汽車800V高壓超充時代，憑借耐高壓、耐高溫和高頻等優越的物理特性替代Si IGBT，并在主驅逆變器、充電樁、OBC、DC-DC等應用場景中加速滲透。

因為主機廠可以通過應用更高功率密度的1200V SiC-MOSFET，從而充分發揮800V高壓平臺和350KW直流超充的優勢，大幅提高動力系統效率，加速大功率超充普及，以解決普遍存在的“里程焦慮”和“充電焦慮”問題。在此期間，伴隨各主機廠800V高壓平臺車型的陸續量產， SiC產業鏈需求可能會得到快速增長。

目前來看，受益于新能源汽車電動化進程加快和國內主機廠加強供應鏈自主可控的要求，車規級功率器件的國產替代趨勢正在快速形成。國內多家SiC產業鏈企業已經在主驅逆變器、OBC、DC-DC等應用領域得到主機廠提供的產品驗證機會，部分SiC企業更是已順利取得定點函進入量產階段，成功導入了主機廠供應體系。

根據Yole數據，預計到2027年，SiC車規級市場規模有望達到49.8億美元，其中主驅逆變器市場規模約為44.1億美元，約占據整個車規級市場的88.6%。國內SiC產業鏈參與者有望充分受益于國內自主品牌車企與造車新勢力崛起帶來的電動汽車供應鏈國產替代紅利，在高壓超充時代獲得更高市場份額。

當前，國內部分襯底制造企業和通過自建Foundry向IDM模式轉型的模塊封裝企業，已經在產品研發和市場導入方面與海外龍頭并跑，更有望充分受益高壓超充帶來的歷史性機遇。

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審核編輯 黃宇