光伏儲能系統是利用太陽能進行光伏儲能發電的系統，其中光伏設備會吸收太陽能轉化成電能，儲能設備會將光伏設備產生的電能進行存儲，當光伏系統電力不足時，儲能系統會通過轉換，將存儲的電能轉換為所需的交流電供電網使用。

隨著光伏組件功率密度的持續提升，也對碳化硅器件性能提出了更高的要求。基本半導體的第二代碳化硅MOSFET，在開關速度、開關損耗、成本等方面進行了改善，以進一步提升客戶端光伏逆變器的功率密度。在碳化硅功率模塊方面，基本半導體推進工業級碳化硅二極管模塊、MOSFET模塊以及混合模塊的開發，以滿足百千瓦級別以上更高功率的光伏逆變器的應用需求。

基本半導體第二代碳化硅MOSFET 40mR/1200V TO247-3封裝的B2M040120H非常適合老設計中的單管IGBT器件P2P替換升級，可替代英飛凌、安森美、ST、Wolfspeed等品牌；能夠助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業電源、通信電源等行業實現更為出色的能源效率和應用可靠性。

碳化硅MOSFET B2M040120H是基本半導體基于6英寸晶圓平臺開發的，與上一代產品相比，擁有更低比導通電阻（降低約40%）、器件開關損耗（降低約30%），以及更高可靠性和更高工作結溫（175°C）等優越性能。綜上所述，B2M040120H能夠使發電系統的成本大大降低，滿足節能減排的需求，提升電網的安全性。

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