電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李寧遠)近日有消息稱,臺積電將組建2nm任務(wù)團沖刺2nm試產(chǎn)及量產(chǎn)。根據(jù)相關(guān)信息,這個任務(wù)編組同時編制寶山及高雄廠量產(chǎn)前研發(fā)(RDPC)團隊人員,將成為協(xié)助寶山廠及高雄廠廠務(wù)人員接手試產(chǎn)及量產(chǎn)作業(yè)的種子團隊,推動新竹寶山和高雄廠于 2024年同步南北試產(chǎn)、2025年量產(chǎn)。
從1971的10000nm制程到5nm,從5nm向3nm、2nm發(fā)展和演進,芯片制造領(lǐng)域制程工藝的角逐從來未曾停歇,到現(xiàn)在2nm芯片大戰(zhàn)已經(jīng)全面打響。
先進制程工藝演進,逼近物理極限
制程,是指特定的半導(dǎo)體制造工藝及其設(shè)計規(guī)則。芯片工藝中的nm單位,用于衡量芯片制造工藝中的線寬尺寸,不同的制程意味著不同的電路特性,芯片工藝的數(shù)字越小,表示線寬尺寸越小,芯片制造工藝越先進。
制程越小,器件尺寸才能更小,半導(dǎo)體集成度才能更高,也是區(qū)分不同半導(dǎo)體制造工藝換代的標志。一般來說,制程節(jié)點越小意味著晶體管越小速度越快、能耗表現(xiàn)越好。
從英特爾的第一顆CPU開始,芯片制程由10000nm開始以飛快的發(fā)展速度向更小的制程節(jié)點逼近,1977年芯片制程發(fā)展到3000nm,1987年發(fā)展到800nm。從1990年制程演進到600nm開始,先進制程的發(fā)展再一步提速,基本上每幾年就會躍升到下一個更先進的制程節(jié)點。
2020年,5nm制程芯片(蘋果A14)首次成功應(yīng)用。而現(xiàn)在,隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,先進制程的角逐已經(jīng)圍繞著5nm以下的工藝展開。
隨著制程節(jié)點由5nm向3nm、2nm發(fā)展和演進,芯片制造的難度逐步逼近摩爾定律的物理極限,從制程進步中獲得芯片性能提升的難度和成本越來越高。如今3nm戰(zhàn)場方興未艾,2nm的競爭已經(jīng)全面打響。
2nm芯片到底能帶來怎樣的提升呢?根據(jù)2021年IBM在實驗階段制成的2nm芯片,其大小只有150mm2,而這顆芯片內(nèi)部每平方毫米有著3.3億個晶體管,整塊芯片中可以安裝500億個晶體管。根據(jù)IBM的評估,2nm技術(shù)相較于7nm技術(shù),性能方面將得到45%的提升,在同等性能下功耗能夠減少75%。
先進制程給芯片帶來的性能提升是很明顯的,2nm芯片成功量產(chǎn)后無疑將再一次引發(fā)芯片行業(yè)的更新?lián)Q代。不論是智能手機、電腦、可穿戴設(shè)備、還是自動駕駛、數(shù)據(jù)中心等等應(yīng)用,這些領(lǐng)域一旦使用上2nm工藝的芯片,那么在性能方面將實現(xiàn)飛躍式發(fā)展,且能耗明顯下降。
從更長遠的角度看,2nm后還有更極限的先進制程,1nm制程、0.2nm制程將進一步逼近物理極限。
2nm先進制程現(xiàn)狀與進展
高端芯片市場,從來不缺少競爭,5nm、3nm已經(jīng)滿足不了頭部廠商對制程工藝的發(fā)展需求,2nm已經(jīng)成為現(xiàn)在高端芯片制造商布局的重點。
近日臺積電組建了2nm任務(wù)團沖刺2nm試產(chǎn)及量產(chǎn),預(yù)計明年可實現(xiàn)風險性試產(chǎn),2025年量產(chǎn)。此前臺積電中科2nm廠延期,臺積電直接將高雄廠切入2nm ,組建團隊沖刺量產(chǎn)也是看到了目前2nm在人工智能風口下的商機。
蘋果及英偉達等芯片大廠都對臺積電2nm制程保持關(guān)注,此前黃仁勛曾表態(tài),未來新一代服務(wù)器芯片將會全面采用臺積電2nm制程。而其他競爭廠商也都于今年在2nm項目上摩拳擦掌。
臺積電自然不會輕易讓出在2nm的話語權(quán),目前臺積電2nm節(jié)點改用GAA納米片晶體管架構(gòu),在N2的良率和性能上都取得了“扎實的進展”,并預(yù)計2025年投入生產(chǎn)時,在相同功率下速度將比N3E提高15%,或者在相同速度下功耗最多可降低30%。如果進展順利,蘋果和英偉達將成為臺積電2nm的首批客戶。
三星同樣不甘示弱,在今年的第7屆三星晶圓代工論壇上,三星官宣將于2025年實現(xiàn)應(yīng)用在移動領(lǐng)域2nm工藝的量產(chǎn),于2026和2027分別擴展到HPC及汽車電子。這不是三星首次對外公布2nm計劃,此前三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總裁Kyung Kye-hyun也曾公開表示,三星將在2nm工藝中趕超臺積電成為客戶的首選。
三星將2nm工藝視為超越臺積電重返領(lǐng)先先進制程地位的關(guān)鍵。其中一個原因在于實現(xiàn)2nm芯片的GAA技術(shù),三星積累的相當豐富。三星的3nm工藝上就已經(jīng)采用了該技術(shù),相比之下臺積電轉(zhuǎn)向GAA相對保守。
更成熟的GAA技術(shù),給了三星超越臺積電的信心,根據(jù)三星的評估,2nm工藝比目前的3nm工藝,面積將減少5%、性能提高12%、功效提高25%。
除了這兩家在先進制程上常年占據(jù)頭部的廠商,英特爾在2nm戰(zhàn)場上同樣躍躍欲試,與ARM攜手研發(fā)能與臺積電、三星2nm制程相媲美的工藝。根據(jù)相關(guān)消息,目前Intel 18A(1.8nm)和Intel 20A(2nm)制造工藝的開發(fā)已經(jīng)完成,均計劃于2024年量產(chǎn)。
在上市時間上,英特爾的18A和20A早于臺積電和三星的2nm量產(chǎn)時間,根據(jù)英特爾的說法,不僅在進度上會領(lǐng)先,18A工藝的技術(shù)水平也會超過臺積電和三星的2nm工藝。如果臺積電和三星研發(fā)進度不及預(yù)期,英特爾進度正常,那么實現(xiàn)超車奪取2nm技術(shù)龍頭的期望并不是不可能。
除了這三雄爭霸,日本Rapidus也強勢加入2nm戰(zhàn)場,日本眾多頭部廠商合資的Rapidus正緊鑼密鼓攻克2nm制程,意圖在先進制程賽道上占得一席之地。
先進制程的角逐,2nm不會是終點
2nm芯片的大戰(zhàn),將在2025年各家2nm芯片量產(chǎn)后進入白熱化。從技術(shù)儲備上來看,各家的量產(chǎn)實力都是毋庸置疑的,量產(chǎn)后的良率差異也只能到時見分曉。
而先進制程上的競爭,并不會止步于2nm,在各家規(guī)劃的2nm量產(chǎn)后路線,都還有各自的下一步布局。比如背面供電技術(shù),臺積電和三星均在制程路線上布局了該技術(shù),該技術(shù)的應(yīng)用將進一步提升功率和晶體管密度。
除此之外,1.4nm工藝的研發(fā)甚至1.4nm以下更先進制程技術(shù)的研發(fā),也已經(jīng)出現(xiàn)在規(guī)劃上。巨頭們先進制程的拉鋸戰(zhàn),終點不會在2nm上,巨頭們你來我往,在一個個節(jié)點的拉鋸戰(zhàn)上不斷探索著摩爾定律的極限。
小結(jié)
2nm雖然將進一步革新芯片性能和功耗,但是其成本也是高昂的。相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,3nm芯片晶圓的價格超過2萬美元/片,而2nm芯片晶圓的價格將會超過2.5萬美元/片。高昂的代工費最終會由終端的消費者買單,市場接受度如何還很難說。
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