近日，岳麓山大科城第二批核心技術攻關“揭榜掛帥”項目——《大功率碳化硅MOSFET及SBD芯片技術研究》取得重要研發突破，芯片綜合性能趕上國際先進水平，部分指標實現領先。

早在2022年4月，大科城發布第二批核心技術攻關“揭榜掛帥”項目，該項目由瀏陽泰科天潤半導體技術有限公司（以下簡稱“泰科天潤”）發榜，湖南大學和東莞天域半導體股份有限公司共同揭榜，聚焦新一代半導體產業鏈“卡鏈處”進行技術攻關。

作為發起單位，大科城對本次核心技術攻關“揭榜掛帥”項目予以單個項目最高300萬元的資金補助，同時在項目實施、科研攻關、產業落地等方面進行全程跟蹤幫扶，提供政策支持。

項目實施一年多來，針對本課題難點——碳化硅（SiC）MOSFET芯片研究部分，湖南大學國家電能變換與控制工程技術研究中心教授王俊、副研究員梁世維等科研人員在研發過程中，打破了國外專利壁壘，發明了“場板型分裂柵SiC MOSFET”。泰科天潤則突破了高質量柵氧、表面鈍化、高溫變能多次離子注入等工藝難點，在成熟的6英寸碳化硅生產線完成了新型SiC MOSFET工程樣品的研制工作，泰科天潤的工程團隊展現了深厚的碳化硅工藝能力，批次流片的一致性和穩定性得到了各專家的一致認可，為量產打下堅實的基礎。

“經電學特性測試后，相應數據與國際SiC龍頭企業美國科銳公司同類芯片產品的導通電阻相當。”王俊介紹，由于引入了場板分離型的分裂柵結構，芯片具有更低的反向傳輸電容，高頻優值接近國外先進水平，較之傳統平面柵結構器件指標數值明顯改善。

在實測中，研究人員還發現本批次芯片開關性能有所提升，關斷損耗較國外龍頭企業同類產品低17%，將有效提升電能變換效率。以新能源汽車行業為例，這一領先優勢將幫助提升電動汽車的續航里程。

泰科天潤項目經理俞偉告訴記者，此次項目整體進度領先預期時效，研發課題組將繼續深化合作，持續優化提升SiC 器件性能，提高制備工藝的穩定性，爭取盡快實現相關產品的穩定量產和產業化應用，進一步提升湖南在第三代半導體產業領域的影響力，助力長沙打造全球功率半導體研發中心城市。

編輯：黃飛