今年Q3，存儲產品價格有望迎來拐點。

據業內消息人士稱，DRAM 和 NAND 閃存的合同市場價格將在 2023 年第三季度繼續下跌，盡管降幅有所放緩。

自2022年初以來存儲下游需求不振引發供需錯配，廠商競相出貨導致存儲價格持續下探。2023 Q1存儲產品價格繼續下跌，伴隨下游筆記本電腦需求回暖、AI應用浪潮襲來與汽車市場景氣度上升，疊加龍頭企業減產停止價格跌勢，預計價格環比跌幅將持續縮小。

部分DRAM價格止跌

據臺媒報道，在智能手機、PC上用于暫時儲存數據的DRAM價格止跌，而此可能是因為存儲大廠減產、導致市場庫存減少所致。2023年5月份指標性產品DDR4 8Gb批發價（大宗交易價格）為每個1.48美元左右、同于前一個月份（2023年4月）水準，結束連12個月下跌局面；容量較小的4Gb產品價格為每個1.1美元左右，同于前一個月份水準，結束連12個月下跌局面。

DRAM批發價格為存儲廠商和客戶間每個月或每季敲定一次。

報道指出，美光、SK海力士于2022年秋天表明減產，龍頭廠三星也在今年4月宣布減產，而隨著各家廠商減產、市場庫存持續進行調整。半導體商社負責人指出，需求穩健的資料中心相關庫存已呈現適當水平。美光科技此前曾表示，AI服務器對DRAM和NAND的容量需求分別是常規服務器的8倍和3倍。

近日，有市場消息稱，存儲芯片三大原廠擬在下季拉動DRAM價格上漲。業內人士表示，目前三大原廠都想要拉高合約價，目標漲幅7%~8%。雖然仍有庫存以及終端需求未見明顯復蘇的跡象，但進入拉扯的角力戰，至少代表產業落底、復蘇有望。此外，美光科技公布的2023財年第三財季業績超出市場預期，對存儲芯片板塊形成利好刺激。

日本電子情報技術產業協會（JEITA）6月6日發布新聞稿指出，根據WSTS最新公布的預測報告顯示，因智能手機、PC需求疲弱，導致存儲需求預估將呈現大幅減少，因此2023年全球半導體銷售額預估將年減10.3%至5,150.95億美元，其中存儲銷售額預估將暴減35.2%至840.41億美元。

WSTS預估，2024年全球半導體銷售額將年增11.8%至5,759.97億美元，將超越2022年的5,740.84億美元，創下歷史新高紀錄，其中，存儲銷售額預估將暴增43.2%至1,203.26億美元。

6月份NAND市場將發生轉變

據業內人士透露，三星電子已經通知模塊客戶，將提高NAND晶圓的官方報價。此外，如果消費電子市場需求在下半年改善，NAND晶圓合約報價有望企穩。之前三星和SK海力士已在尋求將NAND閃存價格提高3%-5%，并表示NAND閃存的價格已降至可變成本以下，一些品牌SSD價格已接近HDD價格。

另據TrendForce調查報告顯示，5月起美、韓系廠商大幅減產后，已見到部分供應商開始調高NAND晶圓報價，對于中國市場報價均已略高于3-4月成交價。

TrendForce預測，NAND閃存價格將從今年第三季度開始上漲，預計漲幅約為0-5%。預計2023年第四季度價格增長率將進一步擴大到8%-13%。然而，對于固態硬盤、eMMC和UFS等產品，仍然需要促銷活動來清理庫存，目前沒有價格上漲的跡象。

相較其他買方，中國模組廠持續建立低價庫存的意愿較強，因此目前對原廠小幅調漲晶圓報價的接受度高，有分析師認為部分容量晶圓價格在中國市場將會率先止跌翻漲。若其他市場也出現接受價格合理調漲，原廠上調晶圓報價的趨勢將獲得有效支撐，使得買方采購策略轉趨積極，進一步支撐后續晶圓價格上漲。

今年6月7日，SK海力士宣布已開始大規模生產其238層NAND存儲設備，有望實現高性能和高容量的固態硬盤。新芯片擁有2400MT/s的數據傳輸速率，可用于驅動下一代最佳固態硬盤，高速型號將采用PCIe5.0x4接口，并提供12GB/s或更高的順序讀/寫速度。該公司首款238層3D NAND器件是一款512Gb(64GB)的3D TLC設備，與該公司176層3D NAND節點上制造的可比設備相比，制造效率高出34%。SK海力士計劃首先在智能手機上使用這種新的238層內存，然后在其他產品組合中推廣使用。

審核編輯：劉清