充電模塊作為充電樁的核心部件，其核心功能的實現主要依托于功率半導體器件發揮整流、穩壓開關、變頻等作用，隨著用戶更加追求充電系統的小型化、高效化，功率器件作為充電樁的核心器件也面臨著不斷優化和升級。

碳化硅的RDS(ON)較低，因而開關損耗也較低，通常比硅低100倍。基于碳化硅的肖特基二極管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在電力電子技術領域打破硅的極限，成為新能源及電力電子的首選器件。

基本半導體自主研發的B2D60120H1碳化硅肖特基二極管具有導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低器件損耗，提升系統效率，更適合應用于高頻電路，目前在新能源汽車電機控制器、車載電源、太陽能逆變器、充電樁UPS、PFC 電源等領域有廣泛應用。

碳化硅肖特基二極管B2D60120H1性能優勢：

? 具有極低的反向漏電流，反向重復峰值電壓VRRM為1200 V；

? 出色的浪涌電流能力和低電容電荷；

? 連續正常電流(TC=150°C)為60A；

? 基本沒有開關損耗；

? 工作溫度和存儲溫度-55°~175°；

?提供TO-247-2封裝；

基本半導體B2D60120H1碳化硅肖特基二極管帶來的諸多優勢，讓充電樁結構更緊湊、效率和性能更高。它不僅能夠讓充電樁的電路更加輕量化，更有可能降低組件的成本。

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