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國芯思辰|基本半導體碳化硅肖特基二極管B2D10065Q用于升壓電源模塊

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2022-10-17 14:38 ? 次閱讀
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在升壓電源模塊中,會用到肖特基二極管,但常規(guī)硅二極管一般耐壓低、損耗大。要想實現(xiàn)更高的380V電壓,硅二極管就不是很合適了。本文主要提到國產(chǎn)廠家基本半導體的碳化硅肖特基二極管B2D10065Q。

升壓原理的基本電路如下圖所示,肖特基二極管應用位置已標注:

?url=http%3A%2F%2Fdingyue.ws.126.net%2F2022%2F1017%2F1ed0b9e1j00rjvlu6001oc000k00075m.jpg&thumbnail=660x2147483647&quality=80&type=jpg

B2D10065Q應用于28V升壓到380V的升壓電路中的主要特點如下:

(1)耐壓高

B2D10065Q的反向耐壓650V,在380V的直流升壓系統(tǒng)中有足夠余量應對。

(2)損耗小

B2D10065Q的正向壓降為1.29V,在380V時,損耗只有0.34%,進一步提高升壓電源模塊的效率。

(3)體積小

電源模塊一般封裝很小,需要的元器件也要盡量小體積,B2D10065QDFN8*8貼片封裝,在保證良好散熱的情況下,減小體積以及布線面積,保證了電源模塊的小型化。

(4)可靠性高

電源模塊作為一個系統(tǒng)的“動力之源”,是電子產(chǎn)品最核心的部件,所以對可靠性要求更高。B2D10065Q可以在-55℃~175℃,滿足電源模塊高溫工作環(huán)境要求。

(5)兼容性強

B2D10065Q可替代完美英飛凌的IDL10G65C5、意法半導體的STPSC10065DLF以及安森美的FFSM1065A。

綜上,基本半導體的碳化硅肖特基二極管B2D10065Q,具備耐壓高、損耗小、體積小、可靠性高的特點,能夠滿足28V升壓到380V的電源模塊設計需要。

注:如涉及作品版權問題,請聯(lián)系刪除。

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