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TEM小室在電磁兼容測試中的應(yīng)用

深圳市華瑞高電子技術(shù)有限公司 ? 2022-09-05 11:29 ? 次閱讀
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從2018年開始,電動車、車聯(lián)網(wǎng)等ADAS的普及速度加快,尤其在自駕車的帶動下,半導(dǎo)體的封裝技術(shù)愈來愈先進,但新的封裝方式也讓車用零件可靠度方面有了更多的挑戰(zhàn)。

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我司最新推出的TEM小室可以用來測量來自被測件EUT或集成電路PCB的輻射敏感度和傳導(dǎo)抗擾度的試驗,其頻率可以達到8GHz。其駐波比可以到達1.3,傳輸衰減比小于0.3dB。

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源于被測件EUT的發(fā)射場通過小室的發(fā)射模進行耦合,并以此在室的一個端口耦合到一個電壓。用TEM小室進行輻射騷擾測量的優(yōu)點:由于它是在一個屏蔽室內(nèi)進行的,因此把可能感應(yīng)到的環(huán)境電壓降到了極低的水平,一般地講也就是測量設(shè)備的本底噪聲,TEM小室的兩端呈錐形向通用的同軸器件過渡,一頭連接同軸線到測試接收機,另一頭連接匹配負載,如下圖所示。

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TEM小室的外導(dǎo)體頂端有一個方形開口用于安裝測試電路板。其中,集成電路的一側(cè)安裝在小室內(nèi)側(cè),互連線和外圍電路的一側(cè)向外。這樣做使測到的輻射發(fā)射主要來源于被測的IC芯片。受測芯片產(chǎn)生的高頻電流在互連導(dǎo)線上流動,那些焊接引腳、封裝連線就充當了輻射發(fā)射天線

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當測試頻率低于TEM小室的一階高次模頻率時,只有主模TEM模傳輸,此時TEM小室端口的測試電壓與騷擾源的發(fā)射大小有較好的定量關(guān)系,因此,可用此電壓值來評定集成電路芯片的輻射發(fā)射大小。

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用TEM小室的測試方法是:為了保證重復(fù)性,環(huán)境溫度保持于18℃~28℃;測試環(huán)境的背景電磁噪聲至少低于最低極限線值6dB;在測試之前,集成電路應(yīng)使用適當?shù)某绦蚣虞d并處于穩(wěn)定狀態(tài);待測集成電路的供電特性應(yīng)符合集成電路制造商要求。

62b3f0ba-2ae3-11ed-9ade-dac502259ad0.jpg用TEM小室的測試步驟:

第一步:按測試布置進行環(huán)境溫度及背景電磁噪聲測試,此時待IC不上電;

第二步:待測IC上電,并進行功能測試,需要對IC的軟件加載,并一直到其處于穩(wěn)定狀態(tài);

第三步:對待測IC進行輻射發(fā)射測量;

第四步:將待測IC與測試夾具旋轉(zhuǎn)90o,重復(fù)第三步測試,直至四個可能的方向均完成輻射發(fā)射測量。

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深圳市華瑞高電子技術(shù)有限公司,是一家專業(yè)致力于為客戶提供優(yōu)質(zhì)且性價比高的電磁兼容抗擾度校準裝置,屏蔽效能測試系統(tǒng)和諧波閃爍分析測試系統(tǒng)的研發(fā)生產(chǎn)性企業(yè)。

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